Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP, I, Облучение гамма-квантами 60Со / А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. Асанов

Основной Автор-лицо: Градобоев, А. В., физик, профессор Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, доктор технических наук, 1952-, Александр ВасильевичАльтернативный автор-лицо: Орлова, К. Н., физик, доцент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, кандидат технических наук, 1985-, Ксения Николаевна;Асанов, И. А.Коллективный автор (вторичный): Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ), Кафедра естественного научного образования (ЕНО);Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ), Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)Язык: русский.Страна: Россия.Аудитория: .Тематика: труды учёных ТПУ | светодиоды | радиационная стойкость | гетероструктуры | AlGaInP | гамма-кванты | облучение
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.