Three types of self-activated luminescence centers in CdS:O / N. K. Morozova [et al.]

Уровень набора: SemiconductorsАльтернативный автор-лицо: Morozova, N. K.;Danilevich, N. D.;Oleshko, V. I., specialist in the field of lightning engineering, Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences, 1948-, Vladimir Ivanovich;Vil'chinskaya (Vilchinskaya), S. S., specialist in the field of laser and light technology, associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences, 1976-, Svetlana SergeevnaКоллективный автор (вторичный): Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт физики высоких технологий (ИФВТ), Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)Язык: английский.Страна: .Резюме или реферат: The cathodoluminescence and X-ray-luminescence spectra of CdS:O crystals are studied. For these CdS:O crystals the oxygen content, the dependence of the band gap on the substitutional oxygen content [OS], and the band model calculated on the basis of band anticrossing theory are known. New data on the three types of self-activated luminescence, specifically, edge luminescence and luminescence related to SA and F + centers in CdS are obtained. The conditions of the formation of these luminescence centers under changes in the system of intrinsic point defects in CdS crystals containing oxygen are established..Примечания о наличии в документе библиографии/указателя: [References: p. 1666 (16 tit.)].Аудитория: .Тематика: электронный ресурс | труды учёных ТПУ Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Title screen

[References: p. 1666 (16 tit.)]

The cathodoluminescence and X-ray-luminescence spectra of CdS:O crystals are studied. For these CdS:O crystals the oxygen content, the dependence of the band gap on the substitutional oxygen content [OS], and the band model calculated on the basis of band anticrossing theory are known. New data on the three types of self-activated luminescence, specifically, edge luminescence and luminescence related to SA and F + centers in CdS are obtained. The conditions of the formation of these luminescence centers under changes in the system of intrinsic point defects in CdS crystals containing oxygen are established.

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.