Responsivity enhancement of a strained silicon field-effect transistor detector at 0.3 THz using the terajet effect
20210915a2021 k y0engy50 ba
- Title screen
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
чувствительность
детекторы
полевые транзисторы
излучения
кремний
фокусировка
электрические поля
электромагнитное моделирование
- Title screen
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
чувствительность
детекторы
полевые транзисторы
излучения
кремний
фокусировка
электрические поля
электромагнитное моделирование