Cleaning and sputtering using planar acoustoplasma magnetron (Запись № 580795)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 02955naa2a2200493 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030032741.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\prd\280668
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\prd\280667
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20181022a2018 k y0rusy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации Россия
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Cleaning and sputtering using planar acoustoplasma magnetron
Первые сведения об ответственности A. S. Abrahamyan, A. H. Mkrtchyan, V. V. Nalbandyan [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
215 ## - Физические характеристики
Сведения об объеме 1 файл(5152 Кб)
230 ## -
-- Электронные текстовые данные (1 файл: 5152 Кб)
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: p. 13 (17 tit.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The paper describes the obtained experimental results for a planar acoustoplasma magnetron. The small radius of the anode loopallows focusing and accelerating the ionic component of the sprayed material.Argon was used as a buffer gas. The characteristics of the magnetron in case of direct current supply and in acoustoplasma mode(AP) (with modulated current containing constant and variable components) are compared. The sputtering speed in AP modeincreases. For the copper cathode, the gas pressure made < 1 Pa and current density of the order of 100 mA/cm2with increasingdistance from the anode to the deposited substrate from 2 to 4 cm in case of DC supply, the deposition speed drops 3.3 times (from17 to 5 nm/s), in the acoustoplasma mode – 2 times (from 13 to 6.4 nm/s).For the anode-substrate distance 4 cm, the gain in the deposition speed in the AP mode, compared with DC is 1.2–1.5 times. Thedependences of ion and electron currents on the substrate for different discharge parameters were measured. The study was basedon a scheme with two potential grids with fixed and variable potentials. The possibility of forming an annular vapor-plasma flowof fast particles is shown.
461 #1 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\prd\247369
Международный стандартный сериальный номер (ISSN) 2405-6537
Заглавие Resource-Efficient Technologies
Сведения, относящиеся к заглавию electronic scientific journal
Первые сведения об ответственности National Research Tomsk Polytechnic University (TPU)
Дата публикации 2015-
463 #1 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\prd\280666
Заглавие No 3
Обозначение тома [P. 7-13]
Дата публикации 2018
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин распыление
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин магнетроны
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин плазма
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин технологии
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Abrahamyan
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. S.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Mkrtchyan
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. H.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Nalbandyan
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. V.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Hovhannisyan
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. T.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Chilingaryan
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. Yu.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Hakobyan
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. S.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Mossoyan
Часть имени, кроме начального элемента ввода P. H.
801 #1 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20090623
Правила каталогизации PSBO
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20220418
Правила каталогизации PSBO
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://www.ojs.tpu.ru/index.php/res-eff/article/view/197/183
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://earchive.tpu.ru/handle/11683/51444
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.18799/24056537/2018/3/197
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 580795
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Books

Нет доступных единиц.