Development of filtered DC metal plasma ion implantation and coating deposition methods based on high-frequency short-pulsed bias voltage application (Запись № 599029)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 02164nam1a2200277 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030033814.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\tpu\22858 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\tpu\22857 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20130318a2005 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Development of filtered DC metal plasma ion implantation and coating deposition methods based on high-frequency short-pulsed bias voltage application |
| Первые сведения об ответственности | A. I. Ryabchikov, I. A. Ryabchikov, I. B. Stepanov |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Proceedings of the fifth International Conference on Ion Implantation and other Applications of Ions and Electrons (ION 2004) |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | An innovative concept in the development of advanced coating deposition and ion implantation method including an application of filtered DC metal plasma source and high-frequency short-pulsed negative bias voltage with a duty factor in the range 10-99% are considered. The regularities of ion implantation and metal plasma deposition for metal and dielectric samples are experimentally investigated. Experimentally, it has been shown that metal plasma-based ion implantation, high-concentration metal plasma ion implantation with compensation of ion surface sputtering by metal plasma deposition and ion-assisted coating deposition can be realized by variation of bias potential ranging from 0 V to 4 kV, with pulse repetition rate smoothly adjusted in the range (2-4.4)×105 pps and pulse duration ranging from 0.5 to 2 μs. Special features of the material treatment method depending on plasma concentration, pulse repetition rate and duty factor have been examined. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Vacuum |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 78, iss. 2-4 |
| Обозначение тома | P. 331-336 |
| Дата публикации | 2005 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Ryabchikov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| -- | physicist |
| Даты | 1950- |
| Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Ilyich |
| -- | TPU |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30912 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Ryabchikov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. A. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Stepanov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. B. |
| 801 #1 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20130226 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20131010 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 599029 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Books |
Нет доступных единиц.