Polaron jump conductivity in films of vitreous oxide semiconductors in an intense DC magnetic field (Запись № 599613)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 02010nam1a2200265 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030033832.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\tpu\23717 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\tpu\23614 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20130926a1988 k y0engy50 ba |
| 101 1# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Polaron jump conductivity in films of vitreous oxide semiconductors in an intense DC magnetic field |
| Первые сведения об ответственности | V. I. Kosintsev, V. I. Koltun |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | References: p. 1042 (17 tit.) |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | Experimental data on the field dependence of static conductivity of vitreous oxide semiconductors (VOS) based on V 2O 5 are analyzed. To describe the effects of an intense electric field a model is proposed which assumes localization of small radius polarons (SRP) by the Coulomb field of positively charged defect centers (the bound SRP model). Within the framework of this model an expression is obtained which defines the flux density of charge carriers (J) in an electric field of arbitrary intensity (F), which in the limit of an intense electric field leads to a linear dependence of ln J on F 1/2. With the parameters found for the model the calculated function J(F) agrees well with experimental dependences of current upon F for VOS films in the vanadium-borate system. The most probable nature of defect centers in the given materials is anion (oxygen) vacancies. The results obtained agree with a previous analysis of field dependence of low-frequency dielectric permittivity also based on the bound SRP model |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Soviet Physics Journal |
| Дата публикации | 1965-1992 |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 31, № 12 |
| Обозначение тома | P. 1038-1042 |
| Дата публикации | 1988 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Kosintsev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Chemical Engineer |
| -- | consulting professor, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1939- |
| Расширение инициалов личного имени | Victor Ivanovich |
| -- | TPU |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31066 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Koltun |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
| 801 #1 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20110727 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20130926 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 599613 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Books |
Нет доступных единиц.