Electronic processes in oxide glassy semiconductors and thin-film structures based on them (Запись № 599617)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 02034nam1a2200277 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030033832.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\tpu\23721 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\tpu\23717 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20130926a1987 k y0engy50 ba |
| 101 1# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Electronic processes in oxide glassy semiconductors and thin-film structures based on them |
| Первые сведения об ответственности | V. I. Gaman, V. I. Kosintsev, V. M. Kalygina |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | References: p. 473-474 (61 tit.) |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The physical nature of electronic processes in oxide glassy semiconductors (OGS) based on V 2O 5 is discussed on the basis of the theory of the small radius polaron (SRP). The most important parameters of the process of charge transfer by polarons are determined from an analysis of the temperature dependence of the static conductivity by mathematical modeling employing general theoretical expressions. A model of coupled SRP, presuming that they are localized by the Coulomb field of the charged defect centers, is proposed for describing the complex of data on the effects of a strong electric field and dielectric relaxation. On the basis of the model expressions describing the dependence of the current density and dielectric constant on the dc electric field strength and also a relation determining the dielectric relaxation time for the given model are obtained. The results of studies of the electric properties of OGS, modified by additions of a second transition-metal oxide, are discussed also |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Soviet Physics Journal |
| Дата публикации | 1965-1992 |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 30, № 6 |
| Обозначение тома | P. 461-474 |
| Дата публикации | 1987 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Gaman |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Kosintsev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Chemical Engineer |
| -- | consulting professor, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1939- |
| Расширение инициалов личного имени | Victor Ivanovich |
| -- | TPU |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31066 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Kalygina |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. M. |
| 801 #1 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20110727 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20130926 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 599617 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Books |
Нет доступных единиц.