Polarization processes in vitreous oxide semiconductors of the bi//2o//3-v//2o//5-cao system (Запись № 599619)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 02032nam1a2200277 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030033833.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\tpu\23723 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\tpu\23377 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20130927a1986 k y0engy50 ba |
101 1# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Polarization processes in vitreous oxide semiconductors of the bi//2o//3-v//2o//5-cao system |
Первые сведения об ответственности | V. M. Kalygina [et. al.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | This report discusses the temperature and frequency dependences of the conductivity and dielectric constant of vitreous oxide semiconductors (VOS) with the aim of refining the transport mechanism of the charge carriers in them. The dc ( sigma // minus ) and ac ( sigma approximately) conductivity and dielectric constant ( epsilon prime ) were measured for specimens of a capacitor type with sputtered Nichrome electrodes. The dielectric constant and the conductivity in the region of (2 multiplied by (times) 10**2-2 multiplied by (times) 10**4) Hz were determined by a bridge method using an E8-2. At frequencies of (1. 5-3) multiplied by (times) 10**9 Hz the measurements of epsilon prime were carried out using a resonator method. It is found that in view of the ac transport mechanism of charge carriers in vitreous oxide semiconductors, it is necessary to take into account both the hopping and tunnel transitions of the SRP (Small Radius Polarons). The polarization process of the Debye type observed in VOS in the low |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | The Soviet journal of glass physics and chemistry |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 12, № 1 |
Обозначение тома | P. 54-58 |
Дата публикации | 1986 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Kalygina |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. M. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gaman |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Kosintsev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
Дополнения к именам, кроме дат | Chemical Engineer |
-- | consulting professor, Doctor of technical sciences |
Даты | 1939- |
Расширение инициалов личного имени | Victor Ivanovich |
-- | TPU |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31066 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Modebadze |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | O. E. |
801 #1 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20110727 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20130927 |
Правила каталогизации | RCR |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 599619 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Books |
Нет доступных единиц.