Fabrication of 2D based pn junctions with improved performance by selective laser annealing (Запись № 625368)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03443naa2a2200469 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030035518.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\conf\24628
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\conf\24623
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20171212d2017 k y0rusy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации Россия
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 101zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Fabrication of 2D based pn junctions with improved performance by selective laser annealing
Первые сведения об ответственности Ma Bing [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания Текст
Средство доступа электронный
225 1# - Серия
Основное заглавие серии Оптические технологии
230 ## -
-- 1 компьютерный файл (pdf; 342 Kb)
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Заглавие с титульного экрана
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [Библиогр.: с. 125 (1 назв.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания There is a growing body of research on transistors based on nanomaterials such as 2D transition metal dichalcogenides (TMDs) (WS2, MoS2, etc.) and carbon nanotubes (CNTs). Here we co-deposited MoS2 and WS2 as PN junctions. The deposition could be performed on a PCB (printed circuit board) with Cu electrodes. The current-voltage characteristics were obtained using an Arduino board. The effect of laser irradiation could be investigated by studying the IV curves and light sensitivity for the same kind of devices in which one of the Cu electrodes was modified by a laser. The IV curves from the devices with and without laser treatment could be compared to quantify the changes in performance.
463 #1 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\conf\24481
Заглавие Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
Сведения, относящиеся к заглавию сборник научных трудов VI Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 27–29 ноября 2017 г.
Первые сведения об ответственности Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. А. Н. Яковлева
Обозначение тома [С. 125]
Дата публикации 2017
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронные ресурсы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин лазерный отжиг
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин 2D
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин соединения
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин производительность
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин наноматериалы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин вольт-амперные характеристики
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ma Bing
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Rodriguez (Rodriges) Contreras
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. D.
Дополнения к именам, кроме дат Venezuelan physicist, doctor of science
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1982-
Расширение инициалов личного имени Raul David
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\39942
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Lipovka
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. A.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of organization of higher vocational education
-- engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1993-
Расширение инициалов личного имени Anna Anatolyevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\44078
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Nekrasova
Часть имени, кроме начального элемента ввода T.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Murastov
Часть имени, кроме начального элемента ввода G. V.
Дополнения к именам, кроме дат Specialist in the field of lightning engineering
-- Assistant of the Department of Tomsk Polytechnic University
Даты 1989-
Расширение инициалов личного имени Gennadiy Viktorovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\37695
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Nozdrina
Часть имени, кроме начального элемента ввода O. V.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of lightning engineering
-- engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1990-
Расширение инициалов личного имени Olga Vladimirovna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\44784
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20191016
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45505
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 625368
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Books

Нет доступных единиц.