Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification (Запись № 637348)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 02889nlm1a2200373 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030040207.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\1449 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\272 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20140827a2000 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
-- | eng |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Properties of oxide and nitride ceramics after ion-heat modification |
Первые сведения об ответственности | A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, A. G. Kurakov, V. V. Lopatin |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | The parameters of the induced and biographical defects and their complexes in nitride ceramics, in single and in polycrystalline aluminium oxide after ion irradiation and following thermal annealing are studied. An influence of the defects on the charge transport and recombination process and on the optical absorption and photoconduction is determined. General characteristics of defect formation in dielectrics having a different structure and band gap width were established. The localized states of defects are combined into a subband within the band gap as a result of the accumulation and interaction of the induced defects. The charge transport occurs by hopping mechanism within the donor subband and in part by activation mechanism. The largest change of conduction and optical properties is accompanied with Fermi level shift to the conduction band. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 166-167 |
Обозначение тома | [P. 92-97] |
Дата публикации | 2000 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | теплопроводность |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | поглощение |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Kabyshev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electric power engineering |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
Даты | 1958- |
Расширение инициалов личного имени | Alexander Vasilievich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32572 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Konusov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | F. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Senior Researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
Даты | 1958- |
Расширение инициалов личного имени | Fedor Valerievich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32570 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Kurakov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. G. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electric power engineering |
-- | The Head of the Laboratory of Tomsk Polytechnic University, engineer |
Даты | 1968- |
Расширение инициалов личного имени | Andrey Grigorievich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32573 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Lopatin |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | Doctor of physical and mathematical sciences |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University (TPU) |
Даты | 1947- |
Расширение инициалов личного имени | Vladimir Vasilyevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30091 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20210331 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/S0168-583X(99)01217-3 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 637348 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.