The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation (Запись № 637364)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 04098nlm1a2200433 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030040207.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\1481 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\1480 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20140902a2012 k y0rusy50 ca |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | Россия |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation |
| Первые сведения об ответственности | A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | Optical, electrophysical and photoelectrical properties of arsenide gallium thin films deposited on the polycrystalline silicon by pulsed ions ablation with using of power ions bunch were investigated. The influence of the vacuum annealing at temperature 300-900 K and residual pressure 10 -2 Pa on the films characteristics of the surface and volume dark conduction and photoconduction was established. The optimal deposition and thermal vacuum treatment conditions at which the films properties changes are more stable to thermal and field excitation were determined. The deposited films don't subject on the characteristics to films produced by the other pulsed and epitaxy methods and surpass the films deposited on dielectrics. The analysis of properties confirms a presence in the films as soon as crystal and the amorphous components. The predominant factor in the films properties forming is a defects formation, a defects clusterization and a change in the distribution of the nanocrystals. A films deposited in the center of plasma flame possesses an optimal properties. The silicon substrate effect reflects on films characteristics until and after their annealing. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Известия вузов. Физика |
| Сведения, относящиеся к заглавию | научный журнал |
| Дата публикации | 1957- |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Т. 55, № 12-2 |
| Обозначение тома | [С. 128-132] |
| Дата публикации | 2012 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | арсенид галлия |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | кремний |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | светочувствительность |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | радиационные дефекты |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | отжиг |
| 700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Kabyshev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electric power engineering |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1958- |
| Расширение инициалов личного имени | Alexander Vasilievich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32572 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Konusov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | F. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Senior Researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1958- |
| Расширение инициалов личного имени | Fedor Valerievich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32570 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Remnev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. E. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1948- |
| Расширение инициалов личного имени | Gennady Efimovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Энергетический институт (ЭНИН) |
| -- | Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП) |
| -- | 186 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18676 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |
| -- | Лаборатория № 1 |
| -- | 6378 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\19035 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Физико-технический институт (ФТИ) |
| -- | Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ) |
| -- | 2048 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18735 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20150624 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://elibrary.ru/item.asp?id=20133326 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 637364 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.