Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma (Запись № 637371)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03869nlm1a2200433 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040208.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\1488
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\1478
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20140903a2014 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации Россия
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma
Первые сведения об ответственности A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [Ref.: p. 163 (30 tit.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The electric and photoelectric properties of gallium-arsenide films deposited on a polycrystalline corundum substrate from the ablation plasma formed by a high-power ion beam are investigated. It is ascertained that vacuum and air annealing (in the former case, P = 10?2 Pa and T = 300–1200 K) and sulfide chemical passivation in an alcoholic solution affect the characteristics of the dark conductivity and photo-conductivity of the film surfaces. The optimal conditions for thermal and chemical treatment, at which the most stable changes in film the properties are attained, are determined. Enhancement in the stability of the electrical and photoelectric characteristics of films, which is achieved after thermal treatment, arises from the annealing of defects and their clusterization. Sulfide passivation leads to changes in the characteristics and increases the stability of properties under air oxidation.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
Сведения, относящиеся к заглавию Scientific Journal
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 8, iss. 1
Обозначение тома [P. 158-163]
Дата публикации 2014
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин пассивация
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин пленки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин арсенид галлия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин абляционная плазма
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Kabyshev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of electric power engineering
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
Даты 1958-
Расширение инициалов личного имени Alexander Vasilievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32572
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Konusov
Часть имени, кроме начального элемента ввода F. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Senior Researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences
Даты 1958-
Расширение инициалов личного имени Fedor Valerievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32570
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Remnev
Часть имени, кроме начального элемента ввода G. E.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1948-
Расширение инициалов личного имени Gennady Efimovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31500
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Энергетический институт (ЭНИН)
-- Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)
-- 186
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18676
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Институт физики высоких технологий (ИФВТ)
-- Лаборатория № 1
-- 6378
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\19035
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
-- 2048
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18735
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20150624
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1027451014010285
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 637371
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.