Radiation-induced defects and their complexes in ion-irradiated thermostable dielectrics (Запись № 637566)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 02790nlm1a2200373 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040213.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\1718
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\1717
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20140926a2000 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
-- eng
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации Россия
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса arcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Radiation-induced defects and their complexes in ion-irradiated thermostable dielectrics
Первые сведения об ответственности A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, V. V. Lopatin
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [Ref.: p. 249 (33 tit.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The parameters of defects of radiation-induced and biographic types and of their complexes in boron nitride and Al 2O3 mono- and polycrystals after ion and thermal modification are investigated invoking the methods of optical and thermoactivation spectroscopy. The influence of electron transitions involving defect energy levels on changes in the electrophysical and optical properties of modified dielectrics is recognized. The contribution of the forbidden band width and of the material structure to changes in the properties of defect clusters with continuous spectra of energy levels and of separate radiation-induced point-type defects with local energy levels is evaluated. The stability of defects with various energy spectra under thermal, field, and photoexcitation and also after heat treatment in air is evaluated. The most probable nature of vacancy and impurity-vacancy defects and of vacancy complexes is understood.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Russian Physics Journal
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 43, iss. 3
Обозначение тома [С. 241-249]
Дата публикации 2000
606 1# - Наименование темы как предмет
Наименование темы Диэлектрики
Тематический подзаголовок Физико-механические свойства
Источник данных stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\subj\9774
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
675 ## - Универсальная десятичная классификация (UDC/УДК)
Индекс 536.226
Издание 3
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Kabyshev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of electric power engineering
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
Даты 1958-
Расширение инициалов личного имени Alexander Vasilievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32572
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Konusov
Часть имени, кроме начального элемента ввода F. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Senior Researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences
Даты 1958-
Расширение инициалов личного имени Fedor Valerievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32570
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Lopatin
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. V.
Дополнения к именам, кроме дат Doctor of physical and mathematical sciences
-- Professor of Tomsk Polytechnic University (TPU)
Даты 1947-
Расширение инициалов личного имени Vladimir Vasilyevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30091
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20170112
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://link.springer.com/article/10.1007/BF02509613
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 637566
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.