Luminescence of thin-film light-emitting diode structures upon excitation by a high-current electron beam (Запись № 639430)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03251nlm1a2200397 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030040319.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\3916 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20150311a2013 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drnn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Luminescence of thin-film light-emitting diode structures upon excitation by a high-current electron beam |
| Параллельное заглавие | Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком |
| Первые сведения об ответственности | V. I. Oleshko [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: p. 66 (9 tit.)] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The possibility is examined of applying strong electron beams for luminescence control of InGaN/GaN lightemitting-diode heterostructures deposited on a sapphire substrate. It is shown that excitation of the samples by an electron beam from the heterostructure side leads to intense luminescence of the GaN and InGaN epitaxial layers, whose characteristics are determined by the prehistory of the samples. Induced emission is detected, arising in separate light-emitting-diode structures when the energy density of the electron beam reaches a threshold value. Transition to the induced emission regime in InGaN quantum wells is accompanied by the appearance of a luminous halo around the excitation zone. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Russian Physics Journal |
| Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 56, iss. 1 |
| Обозначение тома | [P. 62-66] |
| Дата публикации | 2013 |
| 510 1# - Параллельное заглавие | |
| Параллельное заглавие | Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком |
| Язык заглавия | русский |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Oleshko |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of lightning engineering |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1948- |
| Расширение инициалов личного имени | Vladimir Ivanovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33783 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Gorina |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. G. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Korepanov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of lightning engineering |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1947- |
| Расширение инициалов личного имени | Vladimir Ivanovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33774 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Lisitsyn |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. M. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Professor of Tomsk Politechnic University, candidate of physical and mathematical sciences |
| -- | Russian physicist |
| Даты | 1939- |
| Расширение инициалов личного имени | Viktor Mikhailovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\28330 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Prudaev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. A. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Tolbanov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | O. P. |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |
| -- | Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ) |
| -- | 65 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18690 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20180305 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1007/s11182-013-9995-6 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 639430 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.