Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells (Запись № 640413)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03774nla2a2200469 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040354.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\4962
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\4940
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20150416a2014 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
-- eng
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
Первые сведения об ответственности A. V. Gradoboev, K. N. Orlova
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: p. 241 (7 tit.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Neutron degradation was investigated for AlGaInP light-emitting diodes with wavelengths in the 690 nm region. The process of degradation light output power is shown in three stages. Wattampere, volt-watt and current-voltage characteristic of the light-emitting diodes fabricated on the basis of heterostructures with AlGaInP multiple quantum wells allows to distinguished areas of low, average and strong injection of electrons into the active region of the diodes. Comparison of the research results made of different semiconductor structures suggests that the radiation model of lightemitting diode based on AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells is common to all light-emitting diodes under irradiation by fast neutrons, protons, electrons and gamma rays.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #0 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\4598
Заглавие Advanced Materials Research
Сведения, относящиеся к заглавию Scientific Journal
463 #0 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\4601
Заглавие Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
Сведения, относящиеся к заглавию The Xth International Conference, April 23-26, 2013, Tomsk, Russia
-- [proceedings]
Первые сведения об ответственности National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; National Research Tomsk State University (TSU) ; Tomsk State University of Architecture and Building (TSUAB)
Обозначение тома [P. 237-241]
Дата публикации 2014
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин светодиоды
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин гетероструктуры
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин квантовые ямы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин быстрые нейтроны
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин LEDs
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин heterostructures
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин AlGaInP
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин quantum wells
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин fast neutrons
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Gradoboev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Yurga Institute of Technology, TPU Affiliate, Doctor of technical sciences
Даты 1952-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Vasilyevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34242
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Orlova
Часть имени, кроме начального элемента ввода K. N.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Associate Professor of Yurga Institute of Technology, TPU Affiliate, Candidate of technical sciences
Даты 1985-
Расширение инициалов личного имени Kseniya Nikolaevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33587
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ)
-- Кафедра естественного научного образования (ЕНО)
-- 7134
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18894
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ)
-- Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
-- 2240
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18930
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20161228
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.880.237
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 640413
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.