The Influence of Dislocation Junctions on Accumulation of Dislocations in Strained FCC – Single Crystals (Запись № 640934)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03272nlm2a2200421 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040410.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\5812
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\5807
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20150505a2014 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие The Influence of Dislocation Junctions on Accumulation of Dislocations in Strained FCC – Single Crystals
Первые сведения об ответственности V. Starenchenko [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Dislocation junctions, formed as a result of dislocation reactions, affect the plastic strain process, at least, for two reasons. First of all, junctions serve as barriers to shear-forming dislocations and restrict their path, therefore, the size of the shear zone. Sizes of the shear zone are determined by the density of reacting dislocations in non-coplanar slip systems, forming long enough barriers in the form of dislocation junctions. Secondly, non-breaking dislocation junctions are accumulated inside the shear zone, which leads to an increase in the intensity of the dislocation density accumulation.The present work is devoted to the study of the influence of dislocation junctions on accumulation of the density of dislocation debris (debris junctions) due to formation of stable junctions. For this purpose, the probability density function of lengths in non-breaking junctions is calculated. The model of dislocation interactions, built by the authors of the paper for FCC single crystals, is used.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #0 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\4598
Заглавие Advanced Materials Research
Сведения, относящиеся к заглавию Scientific Journal
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 1013 : Structure and Properties of Metals at DifferentEnergy Effects and Treatment Technologies
Сведения, относящиеся к заглавию The International Scientific Workshop, 29-30 September, 2014, Tomsk, Russia
-- [proceedings]
Обозначение тома [P. 272-279]
Дата публикации 2014
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин монокристаллы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин деформирование
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Starenchenko
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. A.
Расширение инициалов личного имени Vladimir Aleksandrovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Cherepanov
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. N.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences
Даты 1969-
Расширение инициалов личного имени Dmitry Nikolaevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\36247
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Kurinnaya
Часть имени, кроме начального элемента ввода R.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zgolich
Часть имени, кроме начального элемента ввода M.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zgolich
Часть имени, кроме начального элемента ввода M.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Selivanikova
Часть имени, кроме начального элемента ввода O. V.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of nuclear physics
-- Senior Lecturer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1977-
Расширение инициалов личного имени Olga Valerievna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34251
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ)
-- 48
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18730
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20160301
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1013.272
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 640934
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.