The Influence of Dislocation Junctions on Accumulation of Dislocations in Strained FCC – Single Crystals (Запись № 640934)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03272nlm2a2200421 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030040410.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\5812 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\5807 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20150505a2014 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | The Influence of Dislocation Junctions on Accumulation of Dislocations in Strained FCC – Single Crystals |
Первые сведения об ответственности | V. Starenchenko [et al.] |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Dislocation junctions, formed as a result of dislocation reactions, affect the plastic strain process, at least, for two reasons. First of all, junctions serve as barriers to shear-forming dislocations and restrict their path, therefore, the size of the shear zone. Sizes of the shear zone are determined by the density of reacting dislocations in non-coplanar slip systems, forming long enough barriers in the form of dislocation junctions. Secondly, non-breaking dislocation junctions are accumulated inside the shear zone, which leads to an increase in the intensity of the dislocation density accumulation.The present work is devoted to the study of the influence of dislocation junctions on accumulation of the density of dislocation debris (debris junctions) due to formation of stable junctions. For this purpose, the probability density function of lengths in non-breaking junctions is calculated. The model of dislocation interactions, built by the authors of the paper for FCC single crystals, is used. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 #0 - Уровень набора | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\4598 |
Заглавие | Advanced Materials Research |
Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 1013 : Structure and Properties of Metals at DifferentEnergy Effects and Treatment Technologies |
Сведения, относящиеся к заглавию | The International Scientific Workshop, 29-30 September, 2014, Tomsk, Russia |
-- | [proceedings] |
Обозначение тома | [P. 272-279] |
Дата публикации | 2014 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | монокристаллы |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | деформирование |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Starenchenko |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. A. |
Расширение инициалов личного имени | Vladimir Aleksandrovich |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Cherepanov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. N. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences |
Даты | 1969- |
Расширение инициалов личного имени | Dmitry Nikolaevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36247 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Kurinnaya |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | R. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Zgolich |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Zgolich |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Selivanikova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | O. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of nuclear physics |
-- | Senior Lecturer of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1977- |
Расширение инициалов личного имени | Olga Valerievna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34251 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
Структурное подразделение | Физико-технический институт (ФТИ) |
-- | Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ) |
-- | 48 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18730 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20160301 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1013.272 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 640934 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.