Positron spectroscopy of defects in submicrocrystalline nickel after low-temperature annealing (Запись № 641047)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03243nlm1a2200385 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030040416.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\5925 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20150507a2015 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Positron spectroscopy of defects in submicrocrystalline nickel after low-temperature annealing |
Первые сведения об ответственности | P. V. Kuznetsov [et al.] |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: p. 228 (36 tit.)] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Using the method of measuring the positron lifetime spectra and Doppler broadening annihilation line spectroscopy, the annealing of defects in submicrocrystalline nickel produced by equal channel angular pressing has been studied. In as-prepared samples, the positrons are trapped by dislocation defects and vacancy complexes inside crystallites. The size of vacancy complexes decreases with increasing annealing temperature in the interval deltaT = 20–300°C. However, at T = 360°C, the complexes start growing again. The dependence of S-parameter on W-parameter derived from the Doppler broadening spectroscopy has two parts with different inclinations to axes that correspond to different types of primary centers of positron trapping in submicrocrystalline nickel. It has been elucidated that, at recovery stage in the temperature interval deltaT = 20–180°C, the main centers of positron trapping are low-angle boundaries enriched by impurities, while at in situ recrystallization stage in the temperature interval deltaT = 180–360°C, the primary centers of positron trapping are low-angle boundaries. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Physics of the Solid State |
Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 57, iss. 2 |
Обозначение тома | [P. 219-228] |
Дата публикации | 2015 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Kuznetsov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | P. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
Даты | 1952- |
Расширение инициалов личного имени | Pavel Viktorovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34499 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Mironov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. P. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Tolmachev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. I. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Bordulev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. S. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Engineer of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1990- |
Расширение инициалов личного имени | Yuri Sergeevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31883 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Laptev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | R. S. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Engineer of Tomsk Polytechnic University, Assistant |
Даты | 1987- |
Расширение инициалов личного имени | Roman Sergeevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31884 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Lider |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. M. |
Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
-- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences (PhD) |
Даты | 1976- |
Расширение инициалов личного имени | Andrey Markovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30400 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Korznikov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
Структурное подразделение | Физико-технический институт (ФТИ) |
-- | Кафедра общей физики (ОФ) |
-- | 136 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18734 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20150507 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1134/S1063783415020225 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 641047 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.