Positron spectroscopy of defects in submicrocrystalline nickel after low-temperature annealing (Запись № 641047)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03243nlm1a2200385 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040416.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\5925
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20150507a2015 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Positron spectroscopy of defects in submicrocrystalline nickel after low-temperature annealing
Первые сведения об ответственности P. V. Kuznetsov [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: p. 228 (36 tit.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Using the method of measuring the positron lifetime spectra and Doppler broadening annihilation line spectroscopy, the annealing of defects in submicrocrystalline nickel produced by equal channel angular pressing has been studied. In as-prepared samples, the positrons are trapped by dislocation defects and vacancy complexes inside crystallites. The size of vacancy complexes decreases with increasing annealing temperature in the interval deltaT = 20–300°C. However, at T = 360°C, the complexes start growing again. The dependence of S-parameter on W-parameter derived from the Doppler broadening spectroscopy has two parts with different inclinations to axes that correspond to different types of primary centers of positron trapping in submicrocrystalline nickel. It has been elucidated that, at recovery stage in the temperature interval deltaT = 20–180°C, the main centers of positron trapping are low-angle boundaries enriched by impurities, while at in situ recrystallization stage in the temperature interval deltaT = 180–360°C, the primary centers of positron trapping are low-angle boundaries.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Physics of the Solid State
Сведения, относящиеся к заглавию Scientific Journal
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 57, iss. 2
Обозначение тома [P. 219-228]
Дата публикации 2015
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Kuznetsov
Часть имени, кроме начального элемента ввода P. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences
Даты 1952-
Расширение инициалов личного имени Pavel Viktorovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34499
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Mironov
Часть имени, кроме начального элемента ввода Yu. P.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Tolmachev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. I.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Bordulev
Часть имени, кроме начального элемента ввода Yu. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1990-
Расширение инициалов личного имени Yuri Sergeevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31883
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Laptev
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Engineer of Tomsk Polytechnic University, Assistant
Даты 1987-
Расширение инициалов личного имени Roman Sergeevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31884
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Lider
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. M.
Дополнения к именам, кроме дат Physicist
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences (PhD)
Даты 1976-
Расширение инициалов личного имени Andrey Markovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30400
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Korznikov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Кафедра общей физики (ОФ)
-- 136
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18734
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20150507
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.1134/S1063783415020225
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 641047
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.