Influence of Crystal Defects on the Reflectivity of the Aluminum (Запись № 641302)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03307nla2a2200409 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040424.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\6202
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\6199
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20150515a2015 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Influence of Crystal Defects on the Reflectivity of the Aluminum
Первые сведения об ответственности S. P. Umnov, O. Kh Asainov, A. N. Lemachko
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
225 1# - Серия
Основное заглавие серии Material Engineering and Technologies
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The effect of ion-assisted deposition of the Al films on their UV reflectance is investigated in this paper. The films' reflectance is measured by a spectrophotometer. The obtained films are examined by using transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction analysis (XRD), and atomic force microscopy (AFM). The TEM and AFM measurements allow the determination of the size of crystallites in a film and its microstructure. The XRD analysis reveals that the films deposited with argon ion-beam assist are characterized by much higher microstress levels compared to the films deposited without ion assist. The comparison of the Al films’ reflectance measurements indicate that the films with a higher microstress level (hence, higher defect concentration) are characterized by the enhanced reflectance in the UV region. The conducted investigation shows that the defects of the Al films’ crystalline structure affect its optical properties.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #0 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\5920
Заглавие Applied Mechanics and Materials
Сведения, относящиеся к заглавию Scientific Journal
463 #0 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\6028
Заглавие Vol. 756 : Mechanical Engineering, Automation and Control Systems (MEACS2014)
Сведения, относящиеся к заглавию International Conference, 16‐18 October, 2014, Tomsk, Russia
-- [proceedings]
Первые сведения об ответственности National Research Tomsk Polytechnic University (TPU)
Обозначение тома [P. 164-168]
Дата публикации 2015
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин дефекты
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин кристаллические решетки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин магнетронное распыление
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин коэффициенты отражения
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Umnov
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. P.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences
Даты 1957-
Расширение инициалов личного имени Sergey Pavlovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34215
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Asainov
Часть имени, кроме начального элемента ввода O. Kh.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Head of the laboratory of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences
Даты 1957-
Расширение инициалов личного имени Oleg Khaydarovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34632
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Lemachko
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. N.
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Кафедра технической физики (№ 23) (ТФ)
-- Лаборатория № 16
-- 6468
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\19671
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20161229
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMM.756.164
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 641302
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.