Influence of Crystal Defects on the Reflectivity of the Aluminum (Запись № 641302)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03307nla2a2200409 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030040424.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\6202 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\6199 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20150515a2015 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Influence of Crystal Defects on the Reflectivity of the Aluminum |
Первые сведения об ответственности | S. P. Umnov, O. Kh Asainov, A. N. Lemachko |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
225 1# - Серия | |
Основное заглавие серии | Material Engineering and Technologies |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | The effect of ion-assisted deposition of the Al films on their UV reflectance is investigated in this paper. The films' reflectance is measured by a spectrophotometer. The obtained films are examined by using transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction analysis (XRD), and atomic force microscopy (AFM). The TEM and AFM measurements allow the determination of the size of crystallites in a film and its microstructure. The XRD analysis reveals that the films deposited with argon ion-beam assist are characterized by much higher microstress levels compared to the films deposited without ion assist. The comparison of the Al films’ reflectance measurements indicate that the films with a higher microstress level (hence, higher defect concentration) are characterized by the enhanced reflectance in the UV region. The conducted investigation shows that the defects of the Al films’ crystalline structure affect its optical properties. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 #0 - Уровень набора | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\5920 |
Заглавие | Applied Mechanics and Materials |
Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
463 #0 - Уровень физической единицы | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\6028 |
Заглавие | Vol. 756 : Mechanical Engineering, Automation and Control Systems (MEACS2014) |
Сведения, относящиеся к заглавию | International Conference, 16‐18 October, 2014, Tomsk, Russia |
-- | [proceedings] |
Первые сведения об ответственности | National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) |
Обозначение тома | [P. 164-168] |
Дата публикации | 2015 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | дефекты |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | кристаллические решетки |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | магнетронное распыление |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | коэффициенты отражения |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Umnov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. P. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
Даты | 1957- |
Расширение инициалов личного имени | Sergey Pavlovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34215 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Asainov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | O. Kh. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Head of the laboratory of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
Даты | 1957- |
Расширение инициалов личного имени | Oleg Khaydarovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34632 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Lemachko |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. N. |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
Структурное подразделение | Физико-технический институт (ФТИ) |
-- | Кафедра технической физики (№ 23) (ТФ) |
-- | Лаборатория № 16 |
-- | 6468 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\19671 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20161229 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMM.756.164 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 641302 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.