On the impact of the plasma jet energy on the product of plasmadynamic synthesis in the Si-C system (Запись № 644543)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03649nla2a2200457 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040623.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\9624
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\9623
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20151119a2015 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе a z 101zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drgn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие On the impact of the plasma jet energy on the product of plasmadynamic synthesis in the Si-C system
Первые сведения об ответственности D. S. Nikitin, A. A. Sivkov
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
225 1# - Серия
Основное заглавие серии Materials and technologies new generations
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 23 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Silicon carbide (SiC) nanoparticles can be used for ceramics reinforcement, creation of nanostructured ceramics, microelectromechanical systems. The paper presents the results of plasmadynamic synthesis of silicon carbide nanopowders. This method was realized by the synthesis in an electrodischarge plasma jet generated by a high-current pulsed coaxial magnetoplasma accelerator. Powdered carbon and silicon were used as precursors for the reaction. Four experiments with different energy levels (from 10.0 to 30.0 kJ) were carried out. The synthesized products were analysed by several modern techniques including X-ray diffractometry, scanning and transmission electron microscopy. According to analysis results all the products mainly composed of cubic silicon carbide (b-SiC) with a small amount of unreacted precursors. Silicon carbide particles have a clear crystal structure, a triangular shape and sizes to a few hundred nanometers. Comparison of the results of experiments with different energy levels made it possible to draw conclusions on ways to control product phase composition and dispersion. The silicon carbide content and particles sizes increase with increasing the energy level.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #0 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\2008
Заглавие IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
Дата публикации 2009-
463 #0 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\9450
Заглавие Vol. 93: Modern Technique and Technologies (MTT'2015)
Сведения, относящиеся к заглавию 21th International Conference for Students and Young Scientists, 5-9 October 2015, Tomsk
-- [proceedings]
Обозначение тома [012039, 6 p.]
Дата публикации 2015
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин плазменные струи
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин энергия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин синтез
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин карбид кремния
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин керамика
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин наночастицы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин нанопорошки
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Nikitin
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. S.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of electric power engineering
-- engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1991-
Расширение инициалов личного имени Dmitry Sergeevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\35633
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sivkov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. A.
Дополнения к именам, кроме дат Specialist in the field of electric power engineering
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1951-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Anatolyevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32273
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Энергетический институт (ЭНИН)
-- Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)
-- 186
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18676
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20161122
Правила каталогизации RCR
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/93/1/012039
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://earchive.tpu.ru/handle/11683/20001
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 644543
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.