Aspects for efficient wide spectral band THz generation via CO2 laser down conversion (Запись № 644831)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 02835nlm0a2200361 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030040632.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\9915 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20151201a2015 k y0rusy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
| Кодированные данные о монографическом текстовом документе | a z 101zy |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drnn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Aspects for efficient wide spectral band THz generation via CO2 laser down conversion |
| Первые сведения об ответственности | Yu. N. Panchenko [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | Detailed model study of THz generation by CO2 laser down-conversion in pure and solid solution crystals GaSe1-xSx is carried out for the first time. Both forward and backward collinear interactions of common (eo-e, oe-e, oe-o, oo-e, ee-o) and original (ee-e, oo-o) types are considered. Possibility of realization, phase matching angles and figure of merits are estimated for line mixing within 9 ?m and 10 ?m emission bands, as well between them. Dispersion properties of o- and e-wave refractive indices and absorption coefficients for GaSe, GaS and GaSe1-xSx crystals were preliminary measured by THz-TDS, approximated in the equation form and then used in the study. Estimated results are presented in the form of 3-D figures that are suitable for rapid analyses of DFG parameters. The most efficient type of interaction is eo-o type. Optimally doped (x = 0.09-0.13) GaSe1-xSx crystals are from 4 to 5 times more efficient at limit pump intensity than not doped GaSe crystals. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Proceedings of SPIE |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 9255 : XX International Symposium on High-Power Laser Systems and Applications 2014, Chengdu, China, August 25, 2014 |
| Обозначение тома | [92554P, 9 p.] |
| Дата публикации | 2015 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Panchenko |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. N. |
| Расширение инициалов личного имени | Yury Nikolaevich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Andreev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. M. |
| Расширение инициалов личного имени | Yury Mikhaylovich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Lansky |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. V. |
| Расширение инициалов личного имени | Grigory Vladimirovich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Losev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. F. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of automation equipment and electronics |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1950- |
| Расширение инициалов личного имени | Valery Fedorovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\35594 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Lubenko |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. M. |
| Расширение инициалов личного имени | Dmitry Mikhaylovich |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |
| -- | Кафедра сильноточной электроники (СЭ) |
| -- | 2047 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18691 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20151201 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1117/12.2065345 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 644831 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.