Ionized vapor deposition of antimicrobial Ti–Cu films with controlled copper release (Запись № 644912)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03114nlm0a2200469 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040635.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\9996
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\9038
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20151204d2014 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Ionized vapor deposition of antimicrobial Ti–Cu films with controlled copper release
Первые сведения об ответственности V. Stranak, H. Wulff, P. Ksirova [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: p. 394 (48 tit.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Formation of Ti-Cu thin films with regard to controlling the copper release is reported in the paper. Copper released from films can inhibit bacterial colonization and can be utilized as an implant surface modification. The copper release has to be controlled (i) to repress the bacteria growth and (ii) to balance the Cu level tolerated by osteoblasts cells. The dual-high power impulse magnetron sputtering superimposed with mid-frequency discharge was employed for ionized vapor deposition of Ti-Cu films. It was found that the microscopical architecture of films is strongly influenced by the pressure during the deposition process. There is an indication that these structural changes are caused by the energy of deposited species (ion distribution functions were measured by time-resolved retarding field analyzer). Grain-like structure with large Cu crystals is formed at higher pressures, i.e. at low ion energies. The grain-like microstructure increases an effective film area which encourages the copper release. It is demonstrated that controlled copper release can be achieved by appropriate setting of the input experimental parameters (pressure, mean discharge current).
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Thin Solid Films
Дата публикации 1967-
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 550
Обозначение тома [P. 389–394]
Дата публикации 2015
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Stranak
Часть имени, кроме начального элемента ввода V.
Расширение инициалов личного имени Vitezslav
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Wulff
Часть имени, кроме начального элемента ввода H.
Расширение инициалов личного имени Harm
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ksirova
Часть имени, кроме начального элемента ввода P.
Расширение инициалов личного имени Petra
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zietz
Часть имени, кроме начального элемента ввода C.
Расширение инициалов личного имени Carmen
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Drache
Часть имени, кроме начального элемента ввода S.
Расширение инициалов личного имени Steffen
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Cada
Часть имени, кроме начального элемента ввода M.
Расширение инициалов личного имени Martin
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Hubicka
Часть имени, кроме начального элемента ввода Z.
Расширение инициалов личного имени Zdenek
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Bader
Часть имени, кроме начального элемента ввода R.
Расширение инициалов личного имени Rainer
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Tichy
Часть имени, кроме начального элемента ввода M.
Дополнения к именам, кроме дат chemist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
Даты 1947-
Расширение инициалов личного имени Milan
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\35771
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Helm
Часть имени, кроме начального элемента ввода Ch. A.
Расширение инициалов личного имени Christiane
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Hipplera
Часть имени, кроме начального элемента ввода R.
Расширение инициалов личного имени Rainer
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Кафедра технической физики (№ 23) (ТФ)
-- 52
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18732
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20210616
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.11.001
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 644912
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.