Effect of an electric field on nucleation and growth of crystals (Запись № 646996)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03027nla2a2200445 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040747.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\12133
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\12132
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20160323a2016 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drgn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Effect of an electric field on nucleation and growth of crystals
Первые сведения об ответственности V. M. Yurov, S. A. Guchenko, M. S. Gyngazova
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 10 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The effect of the electric field strength on nucleation and growth of the crystals of ammonium halides and alkali metal sulfates has been studied. The optimal electric field strength for NH[4]Cl and NH[4]Br crystals was found to be 15 kV/cm, and for NH[4]I, it equaled 10 kV/cm. No effect of the electric field strength on the crystal growth was found for alkali metal sulfates. This difference is analyzed in terms of the crystal growth thermodynamics. In case, when the electric field is small and the Gibbs energy is of a significant value, the influence of the electric field at the crystal growth is negligible. A method to estimate the critical radius of homogeneous nucleation of the crystal is suggested.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #0 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\2008
Заглавие IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
463 #0 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\11965
Заглавие Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Сведения, относящиеся к заглавию International Scientific Conference, 31 August to 10 September 2015, Tomsk, Russia
-- [proceedings]
Обозначение тома [012019, 6 p.]
Дата публикации 2016
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электрические поля
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин рост
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин кристаллы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин щелочные металлы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин сульфаты
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин галогениды аммония
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Yurov
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. M.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Guchenko
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. A.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Gyngazova
Часть имени, кроме начального элемента ввода M. S.
Дополнения к именам, кроме дат Chemical Engineer
-- Engineer of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1985-
Расширение инициалов личного имени Mariya Sergeevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31995
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Институт неразрушающего контроля (ИНК)
-- Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП)
-- 194
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\19033
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20161121
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012019
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18116
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 646996
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.