Effect of an electric field on nucleation and growth of crystals (Запись № 646996)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03027nla2a2200445 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030040747.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\12133 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\12132 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20160323a2016 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drgn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Effect of an electric field on nucleation and growth of crystals |
Первые сведения об ответственности | V. M. Yurov, S. A. Guchenko, M. S. Gyngazova |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 10 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | The effect of the electric field strength on nucleation and growth of the crystals of ammonium halides and alkali metal sulfates has been studied. The optimal electric field strength for NH[4]Cl and NH[4]Br crystals was found to be 15 kV/cm, and for NH[4]I, it equaled 10 kV/cm. No effect of the electric field strength on the crystal growth was found for alkali metal sulfates. This difference is analyzed in terms of the crystal growth thermodynamics. In case, when the electric field is small and the Gibbs energy is of a significant value, the influence of the electric field at the crystal growth is negligible. A method to estimate the critical radius of homogeneous nucleation of the crystal is suggested. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 #0 - Уровень набора | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\2008 |
Заглавие | IOP Conference Series: Materials Science and Engineering |
463 #0 - Уровень физической единицы | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\11965 |
Заглавие | Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015) |
Сведения, относящиеся к заглавию | International Scientific Conference, 31 August to 10 September 2015, Tomsk, Russia |
-- | [proceedings] |
Обозначение тома | [012019, 6 p.] |
Дата публикации | 2016 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электрические поля |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | рост |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | кристаллы |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | щелочные металлы |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | сульфаты |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | галогениды аммония |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Yurov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. M. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Guchenko |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. A. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gyngazova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. S. |
Дополнения к именам, кроме дат | Chemical Engineer |
-- | Engineer of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |
Даты | 1985- |
Расширение инициалов личного имени | Mariya Sergeevna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31995 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
Структурное подразделение | Институт неразрушающего контроля (ИНК) |
-- | Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП) |
-- | 194 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\19033 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20161121 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012019 |
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18116 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 646996 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.