Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation (Запись № 647003)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03682nla2a2200421 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040747.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\12140
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\12135
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20160323a2016 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drgn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
Первые сведения об ответственности А. V. Gradoboev, K. N. Orlova
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 12 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The results of research into degradation of volt-ampere characteristics of light emitting diodes produced on the base of AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells are presented on the example of light emitting diodes (emission wavelengths 623 nm and 590 nm) under gamma quantum and fast neutron radiation in passive powering mode. The shifts of volt-ampere characteristics into the higher voltage range have been observed in conditions of increasing neutron fluence and radiation dose. The observed increase in the resistance of ohmic contacts is caused by the rising resistance of adjacent area, which in its turn results from the changing mobility of charge carriers. The latter varies with the growth of introduced defects under irradiation. Two different areas of current generation have been identified. A mechanism of current generation depends on injected charge carriers in the range of mid-level electron injection. Moreover, the range of high electron injection is distinguished by changing resistance of light emitting diode cores alongside with current generation conditioned by charge carrier injection.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #0 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\2008
Заглавие IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
463 #0 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\11965
Заглавие Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Сведения, относящиеся к заглавию International Scientific Conference, 31 August to 10 September 2015, Tomsk, Russia
-- [proceedings]
Обозначение тома [012025, 5 p.]
Дата публикации 2016
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин вольт-амперные характеристики
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин гетероструктуры
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин квантовые ямы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ионизирующие излучения
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин светодиоды
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Gradoboev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1952-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Vasilyevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34242
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Orlova
Часть имени, кроме начального элемента ввода K. N.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Associate Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1985-
Расширение инициалов личного имени Kseniya Nikolaevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33587
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ)
-- Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
-- 2240
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18930
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20161121
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012025
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18063
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 647003
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.