Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation (Запись № 647003)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03682nla2a2200421 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030040747.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\12140 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\12135 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20160323a2016 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drgn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation |
Первые сведения об ответственности | А. V. Gradoboev, K. N. Orlova |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 12 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | The results of research into degradation of volt-ampere characteristics of light emitting diodes produced on the base of AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells are presented on the example of light emitting diodes (emission wavelengths 623 nm and 590 nm) under gamma quantum and fast neutron radiation in passive powering mode. The shifts of volt-ampere characteristics into the higher voltage range have been observed in conditions of increasing neutron fluence and radiation dose. The observed increase in the resistance of ohmic contacts is caused by the rising resistance of adjacent area, which in its turn results from the changing mobility of charge carriers. The latter varies with the growth of introduced defects under irradiation. Two different areas of current generation have been identified. A mechanism of current generation depends on injected charge carriers in the range of mid-level electron injection. Moreover, the range of high electron injection is distinguished by changing resistance of light emitting diode cores alongside with current generation conditioned by charge carrier injection. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 #0 - Уровень набора | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\2008 |
Заглавие | IOP Conference Series: Materials Science and Engineering |
463 #0 - Уровень физической единицы | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\11965 |
Заглавие | Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015) |
Сведения, относящиеся к заглавию | International Scientific Conference, 31 August to 10 September 2015, Tomsk, Russia |
-- | [proceedings] |
Обозначение тома | [012025, 5 p.] |
Дата публикации | 2016 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | вольт-амперные характеристики |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | гетероструктуры |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | квантовые ямы |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | ионизирующие излучения |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | светодиоды |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gradoboev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
Даты | 1952- |
Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Vasilyevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34242 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Orlova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | K. N. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Associate Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |
Даты | 1985- |
Расширение инициалов личного имени | Kseniya Nikolaevna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33587 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
Структурное подразделение | Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |
-- | Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ) |
-- | 2240 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18930 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20161121 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012025 |
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18063 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 647003 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.