Gradient Structure Formation in the Subsurface Layers of a ZrO2(Y)-Al2O3Ceramic Material Under Low-Energy, High-Current Electron Beams (Запись № 647206)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 02964nlm1a2200397 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030040754.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\12344 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\8964 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20160329a2014 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Gradient Structure Formation in the Subsurface Layers of a ZrO2(Y)-Al2O3Ceramic Material Under Low-Energy, High-Current Electron Beams |
Первые сведения об ответственности | A. P. Surzhikov, Т. S. Frangulyan (Franguljyan), S. A. Gyngazov (Ghyngazov) |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: p. 741 (5 tit.)] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | The role of a low-energy, high-current electron beam on the microstructural state of subsurface layers of a composite ZrO2(Y)-Al2O3 ceramic material is investigated. It is found out that irrespective of the initial porosity of the ceramic material an electron beam treatment gives rise to formation of a characteristic microstructure in the subsurface layers of the specimens. Grains are observed to orient towards the specimen surface. The layers immediately below the surface are characterized by finer grains than those in the bulk. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Russian Physics Journal |
Дата публикации | 1965- |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 57, iss. 6 |
Обозначение тома | [P. 738-741] |
Дата публикации | 2014 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | composite ceramics |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | zirconium dioxide |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | electron beams |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | microstructure |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Surzhikov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. P. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University, doctor of physical and mathematical sciences (DSc) |
Даты | 1951- |
Расширение инициалов личного имени | Anatoly Petrovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30237 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Frangulyan (Franguljyan) |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Т. S. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electronics, dielectrics and semiconductors |
-- | leading researcher of Tomsk Polytechnic University, candidate of physical and mathematical Sciences |
Даты | 1940- |
Расширение инициалов личного имени | Tamara Semenovna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33975 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gyngazov (Ghyngazov) |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. A. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electronics |
-- | Leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
Даты | 1958- |
Расширение инициалов личного имени | Sergey Anatolievich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33279 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
Структурное подразделение | Институт неразрушающего контроля (ИНК) |
-- | Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП) |
-- | 194 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\19033 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20201111 |
Правила каталогизации | RCR |
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1007/s11182-014-0298-3 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 647206 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.