A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures (Запись № 648222)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03138nlm1a2200349 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030040829.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\13379 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20160513a2009 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures |
| Параллельное заглавие | “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) |
| Первые сведения об ответственности | A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 225 1# - Серия | |
| Основное заглавие серии | Low-Dimensional Systems And Surface Physics |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 18 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | A “capacitor” model of the hysteresis is developed using the self-consistent calculation of the tunneling current in a w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structure. In the framework of this model, the current jumps and changes in the potential and the electric field in the structure upon transition from one branch of the current loop to the other branch are considered a result of the recharging of two joined capacitors with the plates located at the positions of the extrema of variations in the electron density in the regions of the emitter, the quantum well, and the collector. It is demonstrated that, when the external and internal fields in the quantum well compensate for each other, the tunneling current is sharply and irreducibly switched to the characteristics of the other resonance and forms a wide hysteresis loop so that, in the branches of this loop, the charge is redistributed between the quantum well and the collector. If the fields coincide with each other, there arises a narrow “singleresonance” hysteresis loop, which is accompanied by the transfer of the electron charge from the emitter to the collector. The developed model leads to agreement with the results of the self-consistent calculations and provides an illustrative interpretation of the complex electron tunneling processes. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Physics of the Solid State |
| Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 51, iss. 1 |
| Обозначение тома | [P. 189-201] |
| Дата публикации | 2009 |
| 510 1# - Параллельное заглавие | |
| Параллельное заглавие | “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) |
| Язык заглавия | русский |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Razzhuvalov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. N. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences |
| Даты | 1976- |
| Расширение инициалов личного имени | Alexander Nikolaevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36680 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Grinyaev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. N. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical science |
| Даты | 1951- |
| Расширение инициалов личного имени | Sergey Nikolaevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32574 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20160513 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1134/S1063783409010247 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 648222 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.