Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec (Запись № 648228)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03054nlm1a2200349 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030040829.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\13385 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20160513a2001 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec |
| Параллельное заглавие | Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта |
| Первые сведения об ответственности | S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 225 1# - Серия | |
| Основное заглавие серии | Low-Dimensional Systems And Surface Physics |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 36 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | Electron tunneling through the GaN/Ga1?x AlxN(0001) wurtzite strained structures is investigated by the pseudopotential and scattering matrix methods. It is shown that the results of multiband calculations at low aluminum concentrations (x<0.3) are adequately described within the single-valley model in the envelope wave function method accounting for the dependences of the effective mass on the energy and strain. Upon electron tunneling through two-barrier structures, sharp resonance peaks are observed at a barrier thickness of several monolayers and the characteristic collision time in the resonance region is equal to ?1 ps. The internal electric fields associated with spontaneous and piezoelectric polarizations lead to a “red” or “blue” shift in the resonance energy according to the thickness and location of barriers with respect to the polar axis. In the (GaN)n(Ga1?x AlxN)m superlattices, the internal fields can form the Stark ladder of electronic states at a small number of ultrathin layers even in the absence of external fields. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Physics of the Solid State |
| Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 43, iss. 3 |
| Обозначение тома | [P. 549-555] |
| Дата публикации | 2001 |
| 510 1# - Параллельное заглавие | |
| Параллельное заглавие | Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта |
| Язык заглавия | русский |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Grinyaev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. N. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical science |
| Даты | 1951- |
| Расширение инициалов личного имени | Sergey Nikolaevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32574 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Razzhuvalov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. N. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences |
| Даты | 1976- |
| Расширение инициалов личного имени | Alexander Nikolaevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36680 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20160513 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1134/1.1356136 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 648228 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.