Intervalley scattering of electrons by short-wave phonons in (GaAs)8(AlAs)8(001) superlattice (Запись № 648444)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03556nlm1a2200397 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030040837.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\13601 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20160520a2016 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Intervalley scattering of electrons by short-wave phonons in (GaAs)8(AlAs)8(001) superlattice |
Первые сведения об ответственности | S. N. Grinyaev, L. N. Nikitina, V. G. Tyuterev |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: p. 289 (15 tit.)] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Intervalley transitions induced by short-wavelength phonons in the conduction band of a superlattice (GaAs)8(AlAs)8(001) are investigated on the basis of the pseudopotential method and in the phenomenological model of interatomic forces. The main attention in the study centers around the transitions associated with the vibrations confined inside the layers. It is shown that the deformation potentials for the majority of intervalley transitions in a superlattice exceed the potentials of corresponding transitions in the binary crystals because of the localization of atomic displacements and wavefunctions of electrons inside the same layer of the superlattice. |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | The bottom of the conduction band in (GaAs)8(AlAs)8(001) superlattice corresponds to the states View the MathML source, Z3, M1, M4 originating from sphalerite's View the MathML source valleys localized in AlAs layers. Transitions between them are the most intense ones and they are caused by optical vibrations of Al atoms. “Semi-interface” vibrations being mainly localized in the one side of the GaAs layer are involved in the View the MathML source, View the MathML source and X1Z1 transitions which are analogs of View the MathML source transitions in binaries. The transitions View the MathML source and View the MathML source are governed by smooth parts of wave-functions and pseudopotentials. As a consequence their intensities are comparable with those of View the MathML source sphalerite transitions in spite that these states are localized in the different layers of the superlattice. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Superlattices and Microstructures |
Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 93 |
Обозначение тома | [P. 280-289] |
Дата публикации | 2016 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электроны |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | фотоны |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | взаимодействие |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | сверхрешетки |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Grinyaev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. N. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical science |
Даты | 1951- |
Расширение инициалов личного имени | Sergey Nikolaevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32574 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Nikitina |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | L. N. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences |
Даты | 1978- |
Расширение инициалов личного имени | Larisa Nikolaevna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36237 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Tyuterev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. G. |
Расширение инициалов личного имени | Valery Grigorjevich |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
Структурное подразделение | Физико-технический институт (ФТИ) |
-- | Кафедра экспериментальной физики (ЭФ) |
-- | 7596 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\21255 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20160520 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2016.03.008 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 648444 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.