Stabilization of primary mobile radiation defects in MgF2 crystals (Запись № 648589)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03292nlm1a2200421 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040843.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\13748
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20160525a2016 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Stabilization of primary mobile radiation defects in MgF2 crystals
Первые сведения об ответственности V. M. Lisitsyn [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 50 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Non-radiative decay of the electronic excitations (excitons) into point defects (F–H pairs of Frenkel defects) is main radiation damage mechanism in many ionic (halide) solids. Typical time scale of the relaxation of the electronic excitation into a primary, short-lived defect pair is about 1–50 ps with the quantum yield up to 0.2–0.8. However, only a small fraction of these primary defects are spatially separated and survive after transformation into stable, long-lived defects. The survival probability (or stable defect accumulation efficiency) can differ by orders of magnitude, dependent on the material type; e.g. ?10% in alkali halides with f.c.c. or b.c.c. structure, 0.1% in rutile MgF2 and <0.001% in fluorides MeF2 (Me: Ca, Sr, Ba). The key factor determining accumulation of stable radiation defects is stabilization of primary defects, first of all, highly mobile hole H centers, through their transformation into more complex immobile defects. In this talk, we present the results of theoretical calculations of the migration energies of the F and H centers in poorely studied MgF2 crystals with a focus on the H center stabilization in the form of the interstitial F2 molecules which is supported by presented experimental data.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
Дата публикации 1984-
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 374 : Basic Research on Ionic-Covalent Materials
Обозначение тома [P. 24-28]
Дата публикации 2016
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин экситоны
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин радиационные дефекты
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Lisitsyn
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. M.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Russian physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences
Даты 1939-
Расширение инициалов личного имени Viktor Mikhailovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\28330
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Lisitsyna
Часть имени, кроме начального элемента ввода L. A.
Расширение инициалов личного имени Lyudmila Aleksandrovna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Popov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. I.
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Ivanovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Kotomin
Часть имени, кроме начального элемента ввода E. A.
Расширение инициалов личного имени Evgeny Aleksandrovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Abuova
Часть имени, кроме начального элемента ввода F. U.
Расширение инициалов личного имени Fatima Usenovna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Akilbekov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. T.
Расширение инициалов личного имени Abdirash Tasanovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Maier
Часть имени, кроме начального элемента ввода J.
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Институт физики высоких технологий (ИФВТ)
-- Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
-- 65
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18690
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20160525
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.08.002
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 648589
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.