The effect of a low-energy high-current pulsed electron beam on surface layers of porous zirconium ceramics (Запись № 649253)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03773nlm1a2200457 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040905.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\14415
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\10661
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20160627a2014 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации Россия
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие The effect of a low-energy high-current pulsed electron beam on surface layers of porous zirconium ceramics
Первые сведения об ответственности V. P. Surzhikov [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: p. 765 (9 tit.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The effect of a high-current pulsed electron beam of low-energy electrons on surface layers of porous zirconium ceramics has been studied. It is established that electron treatment leads to melting of the surface layer and its subsequent crystallization accompanied by the formation of a microstructure differing from the initial state. It is established that porosity decreases in the treatment region, the size of grains increases, and their shape changes. Grains are found to arrange themselves in the direction to the sample surface. Their linear sizes in the transverse and longitudinal directions are, respectively, 1.4 and 7 μm on average, i.e., differ significantly. It is shown that the surface layer modified by an electron beam is characterized by elevated microhardness as compared with the initial state.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Technical Physics Letters
Сведения, относящиеся к заглавию Scientific Journal
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 40, iss. 9
Обозначение тома [P. 762-765]
Дата публикации 2014
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин поверхностные слои
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин микроструктура
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин пористость
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электроны
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронные пучки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин кристаллизация
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Surzhikov
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. P.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of non-destructive testing
-- senior researcher of Tomsk Polytechnic University, candidate of physical and mathematical sciences
Даты 1954-
Расширение инициалов личного имени Vladimir Petrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34577
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Frangulyan
Часть имени, кроме начального элемента ввода Т. S.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of electronics, dielectrics and semiconductors
-- leading researcher of Tomsk Polytechnic University, candidate of physical and mathematical Sciences
Даты 1940-
Расширение инициалов личного имени Tamara Semenovna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33975
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ghyngazov
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. A.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of electronics
-- Leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1958-
Расширение инициалов личного имени Sergey Anatolievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33279
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Vasil'ev
Часть имени, кроме начального элемента ввода I. P.
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Институт неразрушающего контроля (ИНК)
-- Кафедра физических методов и приборов контроля качества (ФМПК)
-- 68
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18709
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Институт неразрушающего контроля (ИНК)
-- Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП)
-- 194
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\19033
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20160808
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.1134/S1063785014090144
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 649253
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.