Comparative study of Cu films prepared by DC, high power pulsed and burst magnetron sputtering (Запись № 650951)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03249nlm1a2200409 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041012.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\16200 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20161027a2016 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Comparative study of Cu films prepared by DC, high power pulsed and burst magnetron sputtering |
| Первые сведения об ответственности | A. A. Soloviev [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: p. 4060 (34 tit.)] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | A comparative study of deposition rate, adhesion, structural and electrical properties of nanocrystalline copper thin films deposited using direct current magnetron sputtering (DCMS) and different regimes of high power pulsed magnetron sputtering is presented. High-power impulse magnetron sputtering (HIPIMS) and burst regime (pulse packages) of magnetron sputtering are investigated. The ion and atomic flows toward the growing film during magnetron sputtering of a Cu target are determined. X-ray diffraction, scanning electron microscopy and atomic force microscopy were used to observe the structural characterization of the films. The resistivity of the films was measured using four-point probe technique. In all sputtering regimes, Cu films have mixture crystalline orientations of [111], [200], [311] and [220] in the direction of the film growth. As peak power density in studied deposition regimes was different in order of magnitude (from 15 W/cm2 in DC regime to 3700 W/cm2 in HIPIMS), film properties were also greatly different. DCMS Cu films exhibit a porous columnar grain structure. In contrast, HIPIMS Cu films have a slightly columnar and denser composition. Cu films deposited using burst regimes at peak power density of 415 W cm?2 and ion-to-atom ratio of about 5 have the densest composition and smallest electrical resistance. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Journal of Electronic Materials |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 45, iss. 8 |
| Обозначение тома | [P. 4052–4060] |
| Дата публикации | 2016 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | напыление |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | ионный ток |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | магнетроны |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Soloviev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. A. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of hydrogen energy |
| -- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |
| Даты | 1977- |
| Расширение инициалов личного имени | Andrey Aleksandrovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30863 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Oskirko |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. O. |
| Расширение инициалов личного имени | Vladimir Olegovich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Semenov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. A. |
| Расширение инициалов личного имени | Vyacheslav Arkadjevich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Oskomov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | K. V. |
| Расширение инициалов личного имени | Konstantin Vladimirovich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Rabotkin |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. V. |
| Расширение инициалов личного имени | Sergey Viktorovich |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Физико-технический институт (ФТИ) |
| -- | Кафедра экспериментальной физики (ЭФ) |
| -- | 7596 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\21255 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20161027 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1007/s11664-016-4582-6 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 650951 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.