Effects of Doped Oxygen on ZnWO[4] Crystal Luminescence (Запись № 651359)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03714nla2a2200517 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041031.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\16608 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\16605 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20161110a2016 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
| Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drgn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Effects of Doped Oxygen on ZnWO[4] Crystal Luminescence |
| Первые сведения об ответственности | V. M. Lisitsyn [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 225 1# - Серия | |
| Основное заглавие серии | Materials and Technologies in Optoelectronics Production |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The results of the study of the spectral characteristics and photo cathodoluminescence zinc tungstate crystals subjected to heat treatment in an oxygen atmosphere, or flows of high-energy irradiation of oxygen ions. It was observed that additional introduction of oxygen leads to decline in luminescence’s effectiveness. It was discovered, that introduction of oxygen by thermal processing leads to changes in excitation spectrum. Decline of excitation effectiveness proportional to increase of excitation quanta energy from 4.5 to 6.5 eV was observed; in the meantime, in the unprocessed crystals it declined by only 25-30%. The effect can be explained by destruction of complex defects with luminescence centers during introduction of additional oxygen. It was demonstrated, that characteristic oxygen’s depth of entry during thermal processing is 20 nm. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 #0 - Уровень набора | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\11477 |
| Заглавие | Key Engineering Materials |
| Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
| 463 #0 - Уровень физической единицы | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\16425 |
| Заглавие | Vol. 712 : Advanced Materials for Technical and Medical Purpose (AMTMP 2016) |
| Сведения, относящиеся к заглавию | The Workshop , February 15-17, 2016, Tomsk, Russia |
| -- | [proceedings] |
| Первые сведения об ответственности | National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; eds. G. E. Osokin [et al.] |
| Обозначение тома | [P. 345-350] |
| Дата публикации | 2016 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | легирование |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | кислород |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | кристаллы |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | люминесценция |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | дефекты |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | катодолюминесценция |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | нанодефекты |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | вольфрамат цинка |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Lisitsyn |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. M. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Russian physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1939- |
| Расширение инициалов личного имени | Viktor Mikhailovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\28330 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Karipbayev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | Z. T. |
| Расширение инициалов личного имени | Zhakyp |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Lisitsyna |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | L. A. |
| Расширение инициалов личного имени | Ludmila |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Dauletbekova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. K. |
| Расширение инициалов личного имени | Alma |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Tupitsyna |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. A. |
| Расширение инициалов личного имени | Irina |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Akilbekov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. T. |
| Расширение инициалов личного имени | Abdirash |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Zdorovets |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. V. |
| Расширение инициалов личного имени | Maxim |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |
| -- | Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ) |
| -- | 65 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18690 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |
| -- | Кафедра материаловедения и технологии металлов (МТМ) |
| -- | 73 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18689 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20170120 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.712.345 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 651359 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.