A pulsed optical absorption spectroscopy study of wide band-gap optical materials (Запись № 652760)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03157nlm0a2200397 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041153.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\18098
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20170125a2012 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие A pulsed optical absorption spectroscopy study of wide band-gap optical materials
Первые сведения об ответственности I. N. Ogorodnikov, M. S. Kiseleva, V. Yu. Yakovlev
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 22 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The paper presents the results of a study on the formation and evolution of short-lived radiation-induced defects in wide band-gap optical materials with the mobile cations. The spectra and decay kinetics of transient optical absorption (TOA) of radiation defects in crystals of potassium and ammonium dihydro phosphates (KH2PO4 and NH4H2PO4) were studied by means of the method of pulsed optical absorption spectroscopy with the nanosecond time resolution under excitation with an electron-beam (250 keV, 10 ns). A model of electron tunneling between the electron and hole centers under conditions of the thermally stimulated mobility of one of the recombination process partners was developed. The model describes all the features of the induced optical density relaxation kinetics observed in nonlinear optical crystals KH2PO4 and NH4H2PO4 in a broad decay-time range of 10 ns–10 s after the pulse of radiation exposure. The paper discusses the origin of radiation defects that determine the TOA, as well as the dependence of the decay kinetics of the TOA on the temperature, excitation power and other experimental conditions.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Optical Materials
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 34, iss. 12 : Selected papers from the Third International Workshop on Advanced Spectroscopy and Optical Materials
Обозначение тома [P. 2030-2034]
Дата публикации 2012
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин спектроскопия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин временное разрешение
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин люминесцентные материалы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин оптическое поглощение
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Ogorodnikov
Часть имени, кроме начального элемента ввода I. N.
Расширение инициалов личного имени Igor Nikolaevich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Kiseleva
Часть имени, кроме начального элемента ввода M. S.
Расширение инициалов личного имени Mariya Sergeevna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Yakovlev
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. Yu.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of lightning engineering
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
Даты 1949-
Расширение инициалов личного имени Viktor Yurjevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\35728
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Институт физики высоких технологий (ИФВТ)
-- Кафедра сильноточной электроники (СЭ)
-- 2047
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18691
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20170206
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2012.03.010
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 652760
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.