Effect of surface modification by silicon ion beam on microstructure and chemical composition of near-surface layers of titanium nickelide (Запись № 654299)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03319nlm1a2200469 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041255.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\19893
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\19667
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20170424a2013 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Effect of surface modification by silicon ion beam on microstructure and chemical composition of near-surface layers of titanium nickelide
Первые сведения об ответственности S. G. Psakhie [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: p. 462-463 (19 tit.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Regularities of changes in chemical composition and microstructure of titanium nickelide upon high-dose ion-beam implantation of silicon into its surface were studied. It was shown that irradiation of a TiNi alloy with silicon ion beams results in formation of a surface oxide layer about six times thicker than that at the surface of the unirradiated alloy. The surface oxide layer of the ion-beam-modified alloy has an oxygen concentration which is ~20% greater than that of the unmodified TiNi surface layer and lacks nickel, whose concentration is near zero to a sample depth of about 20 nm. Investigation of the near-surface region beneath the irradiated surface of TiNi samples by electron backscatter diffraction revealed that, under the action of a silicon ion beam, the near-surface region of individual B2-phase grains rising to the surface is fragmented with formation of a grain-subgrain structure with fragment (grain) sizes decreased down to 5 to 15 µm. It was suggested that grain orientation influences the observed effect.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Inorganic Materials: Applied Research
Дата публикации 2010-
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 4, iss. 5
Обозначение тома [P. 457-463]
Дата публикации 2013
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин титан
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин поверхность
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин кремний
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин модификации
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин дифракция
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин фрагментация
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Psakhie
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. G.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- head of laboratory, Advisor to the rector, head of Department, Tomsk Polytechnic University, doctor of physico-mathematical Sciences
Даты 1952-
Расширение инициалов личного имени Sergey Grigorievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33038
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Lotkov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. I.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Meisner
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. N.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Meisner
Часть имени, кроме начального элемента ввода L. L.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sergeev
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. P.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of materials science
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, doctor of technical Sciences
Даты 1949-
Расширение инициалов личного имени Viktor Petrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32730
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sungatulin
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. R.
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Институт физики высоких технологий (ИФВТ)
-- Кафедра физики высоких технологий в машиностроении (ФВТМ)
-- 2087
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18687
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20170424
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.1134/S2075113313050134
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 654299
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.