Effect of emission on subnanosecond breakdown in a gas diode at low pressure (Запись № 654889)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03112nla2a2200469 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041319.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\20602 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\20600 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20170526a2017 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
| Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drgn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Effect of emission on subnanosecond breakdown in a gas diode at low pressure |
| Первые сведения об ответственности | E. Kh. Baksht [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 225 1# - Серия | |
| Основное заглавие серии | High-current electronics |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 11 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The paper presents experimental and numerical research results on the operation of gas diode at low pressure. A high dispersion in the runaway electron beam current (from 20 to 100 A) with respect to the average one (~50 A) is observed for a tubular cathode with a working edge radius of 30 [mu]m, nitrogen pressure of 30 Torr, and an interelectrode gap of 6 mm. Numerical simulation data show that the low beam current (~20 A) is due to the early electron emission from the cathode (at the stage of low-voltage prepulse), in which the runaway electron beam is formed from the boundary of plasma layer developing early in the breakdown. The high beam current (~100 A) is due to the delayed electron emission from the cathode, which increases the diode voltage and the runaway electron beam current. In the latter case, the runaway electron beam is formed directly at the cathode. |
| 461 #0 - Уровень набора | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\3526 |
| Заглавие | Journal of Physics: Conference Series |
| 463 #0 - Уровень физической единицы | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\20593 |
| Заглавие | Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016 |
| Сведения, относящиеся к заглавию | 5th International Congress, 2–7 October 2016, Tomsk, Russian Federation |
| -- | [materials] |
| Первые сведения об ответственности | National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; eds. M. V. Trigub G. E. Osokin ; A. S. Konovod |
| Обозначение тома | [012014, 6 p.] |
| Дата публикации | 2017 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | излучения |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | пробой |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | газовые диоды |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | низкое давление |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | эмиссия |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронные пучки |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Baksht |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. Kh. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Belomyttsev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. Ya. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Burachenko |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. G. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Grishkov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. A. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Shklyaev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. A. |
| Дополнения к именам, кроме дат | electrophysicist |
| -- | engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1977- |
| Расширение инициалов личного имени | Valeriy Aleksandrovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\35974 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |
| -- | Кафедра высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники (ВЭСЭ) |
| -- | 7624 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\22618 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20170620 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/830/1/012014 |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/39515 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 654889 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.