Formation of near-defect excitons in alkali-halide crystals (Запись № 655600)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 02757nlm1a2200397 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041352.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\21842 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\21841 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20170918a1996 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drnn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Formation of near-defect excitons in alkali-halide crystals |
Первые сведения об ответственности | V. I. Korepanov, V. M. Lisitsyn, L. A. Lisitsyna |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [Ref.: p. 1091-1092 (46 tit.)] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Pulsed-spectrometric research shows that the presence of defects, including those that are electrically neutral with respect to the crystal lattice, has a significant influence on the distribution of the radiation-induced electron excitations. This is evident in the electron-excitation sink in the vicinity of defects and the formation of localized excitons around impurities in ionic crystals. This influence of defects on the electron-excitation distribution is probably due to deformation of the lattice in the region of the defect. It is shown that, in the region of the defect, there is oscillating potential relief, the presence of which leads to the capture of charge carriers and their localization in this region. Lattice distortion because of deformation in the region of the defect changes the mutual distribution of the ion pairs. This creates conditions for the effective conversion of electronic excitations to localized near-defect dihalide excitons, which are different from those created in an ideal lattice. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Russian Physics Journal |
Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 39, iss. 1 |
Обозначение тома | [P. 1082-1092] |
Дата публикации | 1996 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | импульсная спектрометрия |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | исследования |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | дефекты |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | кристаллические решетки |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Korepanov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of lightning engineering |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
Даты | 1947- |
Расширение инициалов личного имени | Vladimir Ivanovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33774 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Lisitsyn |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. M. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Russian physicist |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
Даты | 1939- |
Расширение инициалов личного имени | Viktor Mikhailovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\28330 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Lisitsyna |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | L. A. |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20170918 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1007/BF02436151 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 655600 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.