Simulation of defect formation, amorphization and cluster formation processes in nc-TiN/a-Si3N4 nanocomposite under Xe irradiation (Запись № 657640)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 04180nlm1a2200457 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041519.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\24253 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20180301a2018 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Simulation of defect formation, amorphization and cluster formation processes in nc-TiN/a-Si3N4 nanocomposite under Xe irradiation |
| Первые сведения об ответственности | V. V. Uglov [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 73 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The research of defect formation and clusterization processes by means of a molecular dynamics method both in nc-TiN nanocrystals and amorphous a-Si3N4 matrix, as the constituents of nc-TiN/a-Si3N4 nanocomposite, under exposure to Xe implantation was the aim of the present study. Dependences of the clustered Xe atoms fraction on their concentration and temperature of post-irradiation annealing were analyzed. At defect formation process in nc-TiN nanocrystals, there is a size effect consisting in intensification of the radiation point defects formation with the reduction of nc-TiN nanocrystals size and concurrent predominant formation of the dangling Si- and N-bonds in a-Si3N4 matrix. Accumulation of these defects at the irradiation leads to amorphization of nc-TiN nanocrystals with the size less than 8?nm and to formation of the nanopores in a-Si3N4 matrix. The important role of the radiation defects subsystem in transport processes of implanted Xe both in TiN close-packed lattice as well as in a-Si3N4 amorphous matrix is shown. There is a much higher extent of intensity of xenon atoms clusterization processes in the amorphous matrix. The results of the simulation are compared to existing experimental data. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Computational Materials Science |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 143 |
| Обозначение тома | [P. 143–156] |
| Дата публикации | 2018 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | дефекты |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | аморфизация |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | нанокомпозиты |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | метод молекулярной динамики |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Uglov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
| -- | Leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1954- |
| Расширение инициалов личного имени | Vladimir Vasilievich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36737 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Safronov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. V. |
| Расширение инициалов личного имени | Igor Vasiljevich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Remnev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. E. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1948- |
| Расширение инициалов личного имени | Gennady Efimovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Saladukhin |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. A. |
| Расширение инициалов личного имени | Igor A. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Kvasov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | N. T. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1949- |
| Расширение инициалов личного имени | Nikolay Trafimovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36768 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Dorozhkin |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | N. N. |
| Расширение инициалов личного имени | Nikolay Nikolaevich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Shimanskii (Shymanski) |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
| -- | Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1986- |
| Расширение инициалов личного имени | Vitali Igorevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36738 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов |
| Идентифицирующий признак | (2017- ) |
| -- | 8118 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23551 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Инженерная школа новых производственных технологий |
| -- | Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий" |
| -- | 7882 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23502 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20191212 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2017.10.046 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 657640 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.