Fine features of parametric X-ray radiation by relativistic electrons and ions (Запись № 658079)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03013nlm1a2200409 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041537.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\25152
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20180515a2017 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса arnn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Fine features of parametric X-ray radiation by relativistic electrons and ions
Первые сведения об ответственности K. B. Korotchenko, Yu. L. Eykhorn, S. B. Dabagov
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References.: 28 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания In present work within the frame of dynamic theory for parametric X-ray radiation in two-beam approximation we have presented detailed studies on parametric radiation emitted by relativistic both electrons and ions at channeling in crystals that is highly requested at planned experiments. The analysis done has shown that the intensity of radiation at relativistic electron channeling in Si (110) with respect to the conventional parametric radiation intensity has up to 5% uncertainty, while the error of approximate formulas for calculating parametric X-ray radiation maxima does not exceed 1.2%. We have demonstrated that simple expressions for the Fourier components of Si crystal susceptibility χ0 and χgσ could be reduced, as well as the temperature dependence for radiation maxima in Si crystal (diffraction plane (110)) within Debye model. Moreover, for any types of channeled ions it is shown that the parametric X-ray radiation intensity is proportional to z2−b(Z,z)/z with the function b(Z,z) depending on the screening parameter and the ion charge number z=Z−Ze.
461 ## - Уровень набора
Заглавие Physics Letters B
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 774
Обозначение тома [P. 470-475]
Дата публикации 2017
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин параметрическое излучение
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин рентгеновское излучение
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин зонная структура
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин поперечные структуры
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин энергетические уровни
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин кристаллы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин каналирование
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Korotchenko
Часть имени, кроме начального элемента ввода K. B.
Дополнения к именам, кроме дат physicis
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, doctor of physical and mathematical Sciences
Даты 1949-
Расширение инициалов личного имени Konstantin Borisovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31536
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Eykhorn
Часть имени, кроме начального элемента ввода Yu. L.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- assistant at Tomsk Polytechnic University
Даты 1991-
Расширение инициалов личного имени Yury Leonidovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\35247
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Dabagov
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. B.
Расширение инициалов личного имени Sultan Barasbievich
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20180515
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1016/j.physletb.2017.09.088
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 658079
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.