Size effect in AlN/SiN multilayered films irradiated with helium and argon ions (Запись № 658132)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 04310nlm1a2200541 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041539.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\25253 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20180522a2018 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Size effect in AlN/SiN multilayered films irradiated with helium and argon ions |
| Первые сведения об ответственности | V. V. Uglov [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 15 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The results of microstructure and phase composition of the AlN/SiNx multilayered films after the irradiation with helium and argon ions are presented. The multilayered films with alternating nanocrystalline (nc-AlN) and amorphous (a-SiNx) phases with thicknesses from 2 to 10?nm were obtained by reactive magnetron sputtering. X-ray diffraction results showed the dependence of the crystal lattice parameters of the nc-AlN phase on the thickness which is explained by size affect. After the irradiation with helium (30?keV) and argon (180?keV) ions the radiation-induced point defects as well as their clusters are produced in the films and mainly localized in the amorphous a-SiNx layers. It is of the consequence of enhanced implanted ions migration towards the a-SiNx layers and bubbles formation, as revealed by high-resolution transmission electron microscopy. The average size of the bubbles is 2.0–2.4?nm and grows up to 4–5?nm after the post-irradiation vacuum (800?°C) annealing. The amorphous a-SiNx layers are believed to serve as sinks for radiation-induced defects. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 435 |
| Обозначение тома | [8 p.] |
| Дата публикации | 2018 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | многослойные пленки |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | нитрид алюминия |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | ионы гелия |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | ионы аргона |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | имплантация |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | аморфные слои |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | радиационные дефекты |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | пузыри |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | отжиг |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Uglov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
| -- | Leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1954- |
| Расширение инициалов личного имени | Vladimir Vasilievich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36737 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Kvasov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | N. T. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1949- |
| Расширение инициалов личного имени | Nikolay Trafimovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36768 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Remnev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. E. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1948- |
| Расширение инициалов личного имени | Gennady Efimovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Shimanskii |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
| -- | Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1986- |
| Расширение инициалов личного имени | Vitali Igorevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36738 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Korenevsky |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. L. |
| Расширение инициалов личного имени | Egor Leonidovich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Zlotsky |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. V. |
| Расширение инициалов личного имени | Sergey Vladimirovich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Abadias |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. |
| Расширение инициалов личного имени | Gregory |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | O'Connell |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | J. H. |
| Расширение инициалов личного имени | Jacques Herman |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | van Vuuren |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. J. |
| Расширение инициалов личного имени | Arno Janse |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов |
| Идентифицирующий признак | (2017- ) |
| -- | 8118 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23551 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Инженерная школа новых производственных технологий |
| -- | Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий" |
| -- | 7882 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23502 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20190409 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.nimb.2018.01.012 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 658132 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.