First observation of scattering of sub-GeV electrons in ultrathin Si crystal at planar alignment and its relevance to crystal-assisted 1D rainbow scattering (Запись № 658369)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03104nlm1a2200385 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041550.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\26105
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20181009a2018 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса arnn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие First observation of scattering of sub-GeV electrons in ultrathin Si crystal at planar alignment and its relevance to crystal-assisted 1D rainbow scattering
Первые сведения об ответственности Y. Takabayashi, Yu. L. Pivovarov, T. A. Tukhfatullin
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References.: 26 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Here we report on the first measurements of 255 MeV electron scattering by an ultrathin 0.58 m Si(111) crystal at angles of incidence less than the Lindhard critical angle. Computer simulations of trajectories in the ultrathin crystal explain the appearance of specific angular distributions of scattered electrons as a sequence of multiple-value connections between the points of incidence and deflection (scattering) angle. This is similar to the classical rainbow scattering (RS) of waves and particles on a three-dimensional (3D) potential. The principal difference is that scattering by the ultrathin crystal under channeling conditions is dependent on two additional parameters – the crystal thickness (longitudinal size of one-dimensional (1D) potential formed by the periodically arranged crystal planes) and the angle between the beam and crystal planes. The results of simulations agree with the experimental data. The obtained results contribute to an understanding of the physics of relativistic sub-GeV electron scattering by ultrathin crystals and allow it to be recognized as the fourth scattering type among doughnut scattering, scattering at planar alignment, and mirroring, i.e., one-dimensional 1D rainbow scattering (1D-RS).
461 ## - Уровень набора
Заглавие Physics Letters B
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 785
Обозначение тома [P. 347-353]
Дата публикации 2018
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин кристаллы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин каналирование
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин моделирование
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин релятивистская энергия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин рассеивание
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Takabayashi
Часть имени, кроме начального элемента ввода Y.
Расширение инициалов личного имени Yuichi
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Pivovarov
Часть имени, кроме начального элемента ввода Yu. L.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1953-
Расширение инициалов личного имени Yuriy Leonidovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31522
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Tukhfatullin
Часть имени, кроме начального элемента ввода T. A.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences
Даты 1971-
Расширение инициалов личного имени Timur Ahatovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33633
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Школа базовой инженерной подготовки
-- Отделение естественных наук
-- 8032
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23562
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20181009
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1016/j.physletb.2018.08.063
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 658369
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.