First observation of scattering of sub-GeV electrons in ultrathin Si crystal at planar alignment and its relevance to crystal-assisted 1D rainbow scattering (Запись № 658369)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03104nlm1a2200385 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041550.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\26105 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20181009a2018 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | arnn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | First observation of scattering of sub-GeV electrons in ultrathin Si crystal at planar alignment and its relevance to crystal-assisted 1D rainbow scattering |
Первые сведения об ответственности | Y. Takabayashi, Yu. L. Pivovarov, T. A. Tukhfatullin |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References.: 26 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Here we report on the first measurements of 255 MeV electron scattering by an ultrathin 0.58 m Si(111) crystal at angles of incidence less than the Lindhard critical angle. Computer simulations of trajectories in the ultrathin crystal explain the appearance of specific angular distributions of scattered electrons as a sequence of multiple-value connections between the points of incidence and deflection (scattering) angle. This is similar to the classical rainbow scattering (RS) of waves and particles on a three-dimensional (3D) potential. The principal difference is that scattering by the ultrathin crystal under channeling conditions is dependent on two additional parameters – the crystal thickness (longitudinal size of one-dimensional (1D) potential formed by the periodically arranged crystal planes) and the angle between the beam and crystal planes. The results of simulations agree with the experimental data. The obtained results contribute to an understanding of the physics of relativistic sub-GeV electron scattering by ultrathin crystals and allow it to be recognized as the fourth scattering type among doughnut scattering, scattering at planar alignment, and mirroring, i.e., one-dimensional 1D rainbow scattering (1D-RS). |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Physics Letters B |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 785 |
Обозначение тома | [P. 347-353] |
Дата публикации | 2018 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | кристаллы |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | каналирование |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | моделирование |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | релятивистская энергия |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | рассеивание |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Takabayashi |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Y. |
Расширение инициалов личного имени | Yuichi |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Pivovarov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. L. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | professor of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1953- |
Расширение инициалов личного имени | Yuriy Leonidovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31522 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Tukhfatullin |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | T. A. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
Даты | 1971- |
Расширение инициалов личного имени | Timur Ahatovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33633 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Школа базовой инженерной подготовки |
-- | Отделение естественных наук |
-- | 8032 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23562 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20181009 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.physletb.2018.08.063 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 658369 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.