Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects (Запись № 658685)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 02601nlm1a2200361 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041602.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\26648 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20181031a2018 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects |
| Первые сведения об ответственности | A. N. Razzhuvalov, S. N. Grinyaev |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: p. 630 (24 tit.)] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The influence of the interface deep-level defects on the tunneling current of a double-barrier w-AlN/GaN (0001) structure is studied. It is shown that the peculiarities of the current essentially depend on the positions of deep-levels, concentrations and spatial distribution of defects. At high concentrations of defects comparable to those of polarization charge, partial compensation of polarization charges near the contacts of the structure occurs and a resonance level in the triangular well can arise. Defective structures can possess a huge peak-to-valley ratio higher than 100 due to the small value of the valley current. The results of the simulations are consistent with some experimental dependences of the tunneling current in double-barrier structures. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Superlattices and Microstructures |
| Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 122 |
| Обозначение тома | [P. 624-630] |
| Дата публикации | 2018 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | нитриды |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | туннелирование |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | дефекты |
| 700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Razzhuvalov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. N. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences |
| Даты | 1976- |
| Расширение инициалов личного имени | Alexander Nikolaevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36680 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Grinyaev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. N. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical science |
| Даты | 1951- |
| Расширение инициалов личного имени | Sergey Nikolaevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32574 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов |
| Идентифицирующий признак | (2017- ) |
| -- | 8118 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23551 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20181031 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.06.034 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 658685 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.