LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation (Запись № 658776)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03485nla2a2200493 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041606.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\26829
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\26828
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20181120d2018 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса vrgn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
Первые сведения об ответственности A. V. Gradoboev, K. N. Orlova, A. V. Simonova
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 23 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The paper presents the research results of watt and volt characteristics of LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells in the active region. The research is completed for LEDs (emission wavelengths 624 nm and 590 nm) under irradiation by fast neutron and gamma-quanta in passive powering mode. Watt-voltage characteristics in the average and high electron injection areas are described as a power function of the operating voltage. It has been revealed that the LEDs transition from average electron injection area to high electron injection area occurs by overcoming the transition area. It disappears as it get closer to the limit result of the irradiation LEDs that is low electron injection mode in the entire supply voltage range. It has been established that the gamma radiation facilitates initial defects restructuring only 42% compared to 100% when irradiation is performed by fast neutrons. Ratio between measured on the boundary between low and average electron injection areas current value and the contribution magnitude of the first stage LEDs emissive power reducing is established. It is allows to predict LEDs resistance to irradiation by fast neutrons and gamma rays.
461 #1 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\2008
Заглавие IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
463 #1 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\26822
Заглавие Vol. 363 : Cognitive Robotics
Сведения, относящиеся к заглавию II International Conference, 22–25 November 2017, Tomsk, Russian Federation
-- [proceedings]
Обозначение тома [012010, 6 p.]
Дата публикации 2018
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин светодиоды
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин гетероструктуры
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин квантовые ямы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин быстрые нейтроны
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин облучение
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин гамма-кванты
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин инжекция
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электроны
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин дефекты
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Gradoboev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1952-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Vasilyevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34242
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Orlova
Часть имени, кроме начального элемента ввода K. N.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Simonova
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности
-- Отделение контроля и диагностики
-- 7978
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23584
801 #1 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20150101
Правила каталогизации RCR
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20181129
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1088/1757-899X/363/1/012010
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://earchive.tpu.ru/handle/11683/51792
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 658776
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.