Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias (Запись № 659002)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03257nlm1a2200409 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041614.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\27298 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20181221a2018 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias |
| Первые сведения об ответственности | S. V. Lazarev [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | GaN nanowires (NWs) are promising building blocks for future optoelectronic devices and nanoelectronics. They exhibit stronger piezoelectric properties than bulk GaN. This phenomena may be crucial for applications of NWs and makes their study highly important. We report on an investigation of the structure evolution of a single GaN NW under an applied voltage bias along polar [0001] crystallographic direction until its mechanical break. The structural changes were investigated using coherent X-ray Bragg diffraction. The three-dimensional (3D) intensity distributions of the NWs without metal contacts, with contacts, and under applied voltage bias in opposite polar directions were analyzed. Coherent X-ray Bragg diffraction revealed the presence of significant bending of the NWs already after metal contacts deposition, which was increased at applied voltage bias. Employing analytical simulations based on elasticity theory and a finite element method (FEM) approach, we developed a 3D model of the NW bending under applied voltage. From this model and our experimental data, we determined the piezoelectric constant of the GaN NW to be about 7.7 pm/V in [0001] crystallographic direction. The ultimate tensile strength of the GaN NW was obtained to be about 1.22 GPa. Our work demonstrates the power of in operando X-ray structural studies of single NWs for their effective design and implementation with desired functional properties. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Nano Letters |
| Дата публикации | 2001- |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 18, iss. 9 |
| Обозначение тома | [P. 5446–5452] |
| Дата публикации | 2018 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | coherent X-ray Bragg diffraction |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | finite element method |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | GaN nanowires |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | piezoelectric effect |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Lazarev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | engineer at Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1984- |
| Расширение инициалов личного имени | Sergey Vladimirovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\35210 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Dzhigaev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. |
| Расширение инициалов личного имени | Dmitry |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Bi |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | Zh. |
| Расширение инициалов личного имени | Zhaoxia |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Nowzari |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. |
| Расширение инициалов личного имени | Ali |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Kim |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. |
| Расширение инициалов личного имени | Young Yong |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Rose |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. |
| Расширение инициалов личного имени | Max |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт неразрушающего контроля (ИНК) |
| -- | Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля (МНОЛ НК) |
| -- | 6776 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\19961 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20181221 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b01802 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 659002 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.