Effect of Structure and Phase Composition on Thermocyclic Stability of Thermo-Barrier Coatings Zr-O Deposited by Microplasma Method on a Copper Substrate (Запись № 659159)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03683nla2a2200469 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041619.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\27610
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\27609
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20190123a2018 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Effect of Structure and Phase Composition on Thermocyclic Stability of Thermo-Barrier Coatings Zr-O Deposited by Microplasma Method on a Copper Substrate
Первые сведения об ответственности T. I. Dorofeeva, T. A. Gubaidulina, B. P. Gritsenko, V. P. Sergeev
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 7 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания In this research, nanostructured Zr-O thermal barrier coatings were deposited on the copper specimens using various deposition methods, such as ion implantation, vacuum-arc spraying, magnetron sputtering, and microplasma oxidation. The phase structure and the morphology of the coatings were characterized using X-ray diffraction (XRD), optical microscopy, and scanning electron microscopy (SEM). It was found that the oxide ceramic coatings mainly consisted of tetragonal zirconia with m- ZrO[2] and SiO[2]. The thermal stress life of coating at 1000°С is above 90 cycles.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #0 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\4816
Заглавие AIP Conference Proceedings
463 #0 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\27575
Заглавие Vol. 2051 : Advanced Materials with Hierarchical Structure for New Technologies and Reliable Structures 2018 (AMHS’18)
Сведения, относящиеся к заглавию Proceedings of the International conference, 1–5 October 2018, Tomsk, Russia
Первые сведения об ответственности National Research Tomsk Polytechnic University (TPU); eds. V. E. Panin, S. G. Psakhie, V. M. Fomin
Обозначение тома [020067, 4 p.]
Дата публикации 2018
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин фазовый состав
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин термоциклическая стойкость
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин термобарьерные покрытия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин микроплазменные методы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин медные подложки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин осаждение
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин термостойкость
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Dorofeeva
Часть имени, кроме начального элемента ввода T. I.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Gubaydulina
Часть имени, кроме начального элемента ввода T. A.
Дополнения к именам, кроме дат chemist
-- Leading engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1949-
Расширение инициалов личного имени Tatiana Anatolievna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33972
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Gritsenko
Часть имени, кроме начального элемента ввода B. P.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of lightning engineering
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1949-
Расширение инициалов личного имени Boris Petrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33056
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sergeev
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. P.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of materials science
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, doctor of technical Sciences
Даты 1949-
Расширение инициалов личного имени Viktor Petrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32730
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа новых производственных технологий
-- Отделение материаловедения
-- 7871
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23508
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа природных ресурсов
-- Отделение нефтегазового дела
-- 8084
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23546
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20220812
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1063/1.5083310
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 659159
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.