Raman Spectroscopy Investigation of Laser-Irradiated Single-Walled Carbon Nanotube Films (Запись № 659974)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 02967nlm1a2200373 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041648.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\28818
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20190410a2019 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Raman Spectroscopy Investigation of Laser-Irradiated Single-Walled Carbon Nanotube Films
Первые сведения об ответственности R. D. Rodriguez (Rodriges) Contreras, Ma Bing, E. S. Sheremet
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 36 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Raman spectroscopy (RS) is the tool of choice for the analysis of carbon nanomaterials. In graphene and carbon nanotubes (CNT), RS provides rich information such as defect concentration, CNT chirality, graphene layer number, doping, strain, and other physical parameters of interest. This work presents the RS investigation of a semiconducting CNT film after high power laser irradiation. Changes were observed in the D band revealing the change in the defect concentration induced by the laser. More importantly, it was found the relative intensity decrease of G? and some radial breathing modes which suggests that the effects of laser irradiation induce diameter?selective effects in CNTs. The spectroscopic changes to the selective electronic structure modification for some semiconducting CNTs were attributed as due to those CNTs getting closer to resonance conditions with the fixed laser excitation.
461 ## - Уровень набора
Заглавие Physica Status Solidi (B)
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 256, iss. 2
Обозначение тома [1800412, 5 p.]
Дата публикации 2019
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин спектроскопические исследования
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин пленки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин углеродные нанотрубки
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Rodriguez (Rodriges) Contreras
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. D.
Дополнения к именам, кроме дат Venezuelan physicist, doctor of science
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1982-
Расширение инициалов личного имени Raul David
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\39942
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ma Bing
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sheremet
Часть имени, кроме начального элемента ввода E. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1988-
Расширение инициалов личного имени Evgeniya Sergeevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\40027
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий (ИШХБМТ)
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8120
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23537
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20190410
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1002/pssb.201800412
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 659974
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.