Defect Evolution of Ion-Exposed Single-Wall Carbon Nanotubes (Запись № 660084)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03158nlm1a2200421 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041652.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\29018 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20190423a2019 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Defect Evolution of Ion-Exposed Single-Wall Carbon Nanotubes |
| Первые сведения об ответственности | J. Kalbacova [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 53 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The electronic properties of carbon nanotubes depend on several factors such as diameter, chirality, and defects. Defects such as vacancies can drastically modify the electronic properties of these nanostructures. The introduction of defects by irradiation processes can not only lead to interesting defective nanomaterials but also tailor its intrinsic properties for specific electronic applications. The ability to accurately identify and quantify defects in carbon nanotubes is of major importance for their incorporation into electronic devices. We report on a newly developed quantitative method which combines a known fluence or pulse of ions from a focused beam source with Raman spectroscopy for characterization of defects enabling the detection of systematic variations in defect concentration emerging at 0.5% from different single-wall carbon nanotube (SWCNT) types, semiconducting and metallic. It was also demonstrated that this result is independent from the selected ion species and its energy for thin films, which makes both types of ions suitable for these types of manipulations and characterizations. In this paper, the methods described and exploited can be performed without unique experimental setup or sample preparation and thus enabling in situ accurate characterization of SWCNTs, devices, and other targeted applications. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Journal of Physical Chemistry C |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 123, iss. 4 |
| Обозначение тома | [P. 2496–2505] |
| Дата публикации | 2018 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | углеродные нанотрубки |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | эволюция |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | дефекты |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Kalbacova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | J. |
| Расширение инициалов личного имени | Jana |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Garratt |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. |
| Расширение инициалов личного имени | Elias |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Rodriguez (Rodriges) Contreras |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | R. D. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Venezuelan physicist, doctor of science |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1982- |
| Расширение инициалов личного имени | Raul David |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\39942 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Hight Walker |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. R. |
| Расширение инициалов личного имени | Angela |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Twed |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | K. A. |
| Расширение инициалов личного имени | Kevin |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Fagan |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | J. A. |
| Расширение инициалов личного имени | Jeffrey |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий (ИШХБМТ) |
| Идентифицирующий признак | (2017- ) |
| -- | 8120 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23537 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20190423 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b08771 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 660084 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.