Ultra high fluence implantation of aluminum ions into CP–Ti (Запись № 661221)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 05352nlm1a2200541 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041738.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\31485 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20191125a2019 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Ultra high fluence implantation of aluminum ions into CP–Ti |
Первые сведения об ответственности | A. I. Ryabchikov [et al.] |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 43 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | This study describes the possibility of ultra-high fluence low ion energy aluminum implantation for surface modification of titanium. The DC vacuum arc source was used to produce dense metal plasma. Plasma immersion aluminum ions extraction and their ballistic focusing in equipotential space of negatively biased hemispherical electrode were used to obtain high-intensity aluminum ion beam with the maximum amplitude of 0.6?A?at the ion current density up to 200?mA/cm2. The original filtration system was used to prevent the deposition of vacuum arc aluminum macroparticles onto the irradiated area of titanium sample. Aluminum low energy ions (mean ion energy 2.6?keV) were implanted into titanium with the fluences reaching 1021?ion/cm2. The effect of substrate temperature, ion current density on the phase composition, microstructure and elemental distribution was studied by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, glow-discharge optical emission spectroscopy and transmission electron microscopy. The results show the appearance of Ti3Al intermetallic phase after Al implantation. The depth of aluminum penetration into titanium increases with the substrate temperature and multiply exceeds the projected ranges of ions of given energies and reaches several dozens of μm. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Journal of Alloys and Compounds |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 793 |
Обозначение тома | [P. 604-612] |
Дата публикации | 2019 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | ion implantation |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | intermetallic |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | low-energy ion beams |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | titanium |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | aluminum |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | ионная имплантация |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | ионные пучки |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | титан |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | алюминий |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Ryabchikov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. I. |
Дополнения к именам, кроме дат | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
-- | physicist |
Даты | 1950- |
Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Ilyich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30912 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Shevelev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. E. |
Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
-- | Engineer of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1990- |
Расширение инициалов личного имени | Aleksey Eduardovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36832 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Sivin |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. O. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |
Даты | 1978- |
Расширение инициалов личного имени | Denis Olegovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34240 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Bozhko |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. A. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
Даты | 1980- |
Расширение инициалов личного имени | Irina Aleksandrovna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34206 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Kashkarov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. B. |
Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
-- | Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, Assistant |
Даты | 1991- |
Расширение инициалов личного имени | Egor Borisovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34949 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Bleykher (Bleicher) |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. A. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of Physical and Mathematical Sciences |
Даты | 1961- |
Расширение инициалов личного имени | Galina Alekseevna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31496 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Stepanov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. B. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Head of the laboratory of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
Даты | 1968- |
Расширение инициалов личного имени | Igor Borisovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34218 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Ivanova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. I. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1987- |
Расширение инициалов личного имени | Anna Ivanovna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36986 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа новых производственных технологий |
-- | Отделение материаловедения |
-- | 7871 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23508 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
-- | Отделение экспериментальной физики |
-- | 7865 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23549 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
-- | Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов |
-- | 7868 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23698 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
-- | Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга |
-- | 7866 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23561 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20191125 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.04.179 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 661221 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.