Plasma-Chemical Deposition of Anti-Reflection and Protective Coating for Infrared Optics (Запись № 661650)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03761nlm1a2200433 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041754.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\32374
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20200127a2020 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Plasma-Chemical Deposition of Anti-Reflection and Protective Coating for Infrared Optics
Параллельное заглавие Плазмохимическое осаждение антиотражающего и защитного покрытия для ИК-оптики
Первые сведения об ответственности A. S. Grenaderov, K. V. Oskomov, A. A. Soloviev (Solovyev) [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 21 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The films of amorphous hydrogenated carbon doped with Si and O were deposited onto the sample of crystalline silicon by method of plasma-chemical deposition in the mix of polyphenyl methylsiloxane vapors and argon. Physico-mechanical and optical properties of films were examined for their use as anti-reflection and protective coatings in infrared optics devices. Film transparency in the wavelength range of 2.5-8 μm was measured by method of infrared spectroscopy with a Fourier transform. The structure and composition of films were studied by methods of Raman and X-ray photoelectron spectroscopy. Hardness and other mechanical properties of films were determined by nanoindentation. It was shown that the double-sided deposition of a-C:H:SiOx films onto Si plates allows increasing their integrated transmission in the wavelength region of 3- 5 μm from 50 to 87%. The films possess excellent mechanical characteristics, thermal stability in the temperature range from room temperature to 500°С, and resistance to aqueous solutions of salt.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Russian Physics Journal
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 62, iss. 11
Обозначение тома [P. 2112-2120]
Дата публикации 2020
510 1# - Параллельное заглавие
Параллельное заглавие Плазмохимическое осаждение антиотражающего и защитного покрытия для ИК-оптики
Язык заглавия русский
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин anti-reflection coatings
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин protective coatings
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин infrared optics
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин plasma-chemical synthesis
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Grenaderov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. S.
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Sergeevich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Oskomov
Часть имени, кроме начального элемента ввода K. V.
Расширение инициалов личного имени Konstantin Vladimirovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Soloviev (Solovyev)
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. A.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of hydrogen energy
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1977-
Расширение инициалов личного имени Andrey Aleksandrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30863
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Selivanova
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Расширение инициалов личного имени Aleksandra Viktorovna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Konishchev
Часть имени, кроме начального элемента ввода M. E.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- engineer of Tomsk Polytechnic University, post graduate
Даты 1987-
Расширение инициалов личного имени Maksim Evgenievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34212
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа ядерных технологий
-- Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга
-- 7866
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23561
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20210121
Правила каталогизации RCR
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1007/s11182-019-01835-4
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 661650
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.