Cubic SiC nanowire synthesis by DC arc discharge under ambient air conditions (Запись № 661952)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03852nlm1a2200481 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041804.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\33044 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\32419 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20200324a2020 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Cubic SiC nanowire synthesis by DC arc discharge under ambient air conditions |
| Первые сведения об ответственности | A. Ya. Pak, A. S. Ivashutenko, A. A. Zakharova, Yu. Z. Vasiljeva |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 37 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | Silicon carbide (SiC) is a widely used material characterized by unique physical and chemical properties. In the paper, cubic silicon carbide nanowires are synthesized via the non-vacuum DC (direct current) arc discharge method. DC arc is generated between the graphite rod and the graphite crucible under ambient air conditions without any vacuum or applying special defenses to the used atmosphere equipment. According to experimental data, the percentage of silicon carbide of the total product in interval from 70 A to 100 A increases from 3.9% up to 26.7% (mass), and in interval from 130 A to 200 A of arc discharge current decreases from 26.1% down to 19.9% (mass). The silicon carbide wires are characterized by the typical core-shell SiC-SiOx structure. It is possible to control the phase composition and increase the yield of SiC by changing the arc discharge current amplitude. The optimal synthesis parameters using the DC source with the maximum current of 200 A are a current of 200 A, synthesis time of 12 s and a silicon fraction in the initial mixture not more than 25% (mass) to completely process the initial silicon into its carbide. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Surface and Coatings Technology |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 387 |
| Обозначение тома | [125554, 7 p.] |
| Дата публикации | 2020 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | DC Arc discharge |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | synthesis |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | silicon carbide |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | nanowire |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | ambient air conditions |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | дуговые разряды |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | постоянный ток |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | синтез |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | карбид кремния |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | окружающая среда |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Pak |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. Ya. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electrical engineering |
| -- | head of Department of Tomsk Polytechnic University, candidate of technical Sciences |
| Даты | 1986- |
| Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Yakovlevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34120 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Ivashutenko |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. S. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electrical engineering |
| -- | Head of the Department of the Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |
| Даты | 1981- |
| Расширение инициалов личного имени | Alexander Sergeevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33076 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Zakharova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. A. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of informatics and computer engineering |
| -- | Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Doctor of sciences |
| Даты | 1976- |
| Расширение инициалов личного имени | Aleksandra Aleksandrovna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34678 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Vasiljeva (Vassilyeva) |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. Z. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electric power engineering |
| -- | Research Engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1995- |
| Расширение инициалов личного имени | Yuliya Zakharovna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\46740 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Инженерная школа энергетики |
| -- | Отделение электроэнергетики и электротехники (ОЭЭ) |
| -- | 8022 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23505 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20210128 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2020.125554 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 661952 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.