The Influence of High-Energy Krypton Ion Implantation Temperature on Structure and Properties of Ni–Ti Alloy (Запись № 662064)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 02776nlm1a2200445 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041808.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\33197 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20200513a2019 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | The Influence of High-Energy Krypton Ion Implantation Temperature on Structure and Properties of Ni–Ti Alloy |
Первые сведения об ответственности | V. P. Poltavtseva, S. A. Gyngazov (Ghyngazov), D. A. Satpaev |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 10 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | The influence of the temperature of implantation of Ni–Ti shape memory alloy with 84Kr15+ions at the energy E = 147 MeV on its structural-phase state is investigated. At the implantation temperatures 250 and 300°С, within the projective range Rp and out-range area the following processes and phenomena are observed: new formation of the martensitic В19'-phase, formation of nano-sized particles of the R-phase, increase in resistivity due to the formation of radiation-defect structures, strengthening of the alloy in the austenitic structural-phase state, and longer phase-transition temperature intervals. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Russian Physics Journal |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 61, iss. 11 |
Обозначение тома | [P. 2012–2018] |
Дата публикации | 2019 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | nickel titanium |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | ion implantation |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | phase transition |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | hardening |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | nanoparticles |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | ионная имплантация |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | фазовые переходы |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | упрочнение |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | наночастицы |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Poltavtseva |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. P. |
Расширение инициалов личного имени | Valentina Petrovna |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gyngazov (Ghyngazov) |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. A. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electronics |
-- | Leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
Даты | 1958- |
Расширение инициалов личного имени | Sergey Anatolievich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33279 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Satpaev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. A. |
Расширение инициалов личного имени | Dashi Anatoljevich |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
Структурное подразделение | Институт неразрушающего контроля (ИНК) |
-- | Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП) |
-- | 194 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\19033 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20200515 |
Правила каталогизации | RCR |
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1007/s11182-019-01631-0 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 662064 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.