Effect of magnetron sputtered anode functional layer on the anode-supported solid oxide fuel cell performance (Запись № 662466)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 05225nlm1a2200529 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041822.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\33621 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20200820a2019 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
-- | eng |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Effect of magnetron sputtered anode functional layer on the anode-supported solid oxide fuel cell performance |
Первые сведения об ответственности | E. V. Chikhray [et al.] |
-- | A. A. Soloviev (Solovyev), A. M. Lebedinsky, A. V. Shipilova [et al.] |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 33 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Nickel oxide-yttria stabilized zirconia (NiO-YSZ) thin films were reactively sputter-deposited by pulsed direct current magnetron sputtering from the Ni and ZrY targets onto heated commercial NiO-YSZ substrates. The microstructure and composition of the deposited films were investigated with regard to application as thin anode functional layers (AFLs) for solid oxide fuel cells (SOFCs). The pore size, microstructure and phase composition of both as-deposited and annealed at 1200 °C for 2 h AFLs were studied by scanning electron microscopy and X-ray diffractometry and controlled by changing the deposition process parameters. The results show that annealing in air at 1200 °C is required to improve structural homogeneity of the films. NiO-YSZ films have pores and grains of several hundred nanometers in size after reduction in hydrogen. Adhesion of deposited films was evaluated by scratch test. Anode-supported solid oxide fuel cells with the magnetron sputtered anode functional layer, YSZ electrolyte and La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3/Ce0.9Gd0.1O2 (LSCF/CGO) cathode were fabricated and tested. Influence of thin anode functional layer on performance of anode-supported SOFCs was studied. It was shown that electrochemical properties of the single fuel cells depend on the NiO volume content in the NiO-YSZ anode functional layer. Microstructural changes of NiO-YSZ layers after nickel reduction-oxidation (redox) cycling were studied. After nine redox cycles at 750 °C in partial oxidation conditions, the cell with the anode NiO-YSZ layer showed stable open circuit voltage values with the power density decrease by 11% only. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | International Journal of Hydrogen Energy |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 44, iss. 58 |
Обозначение тома | [P. 30636-30643] |
Дата публикации | 2019 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | solid oxide fuel cells |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | magnetron sputtering |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | thin-film anode |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | microstructure |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | redox cycling |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | твердооксидные элементы |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | магнетронное распыление |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | тонкопленочные покрытия |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | микроструктура |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | окислительно-восстановительные процессы |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Soloviev (Solovyev) |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. A. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of hydrogen energy |
-- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |
Даты | 1977- |
Расширение инициалов личного имени | Andrey Aleksandrovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30863 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Lebedinsky |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. M. |
Дополнения к именам, кроме дат | electrophysicist |
-- | Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences |
Даты | 1982- |
Расширение инициалов личного имени | Aleksey Mikhaylovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36499 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Shipilova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of hydrogen energy |
-- | Researcher of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1982- |
Расширение инициалов личного имени | Anna Viktorovna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\35578 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Ionov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of hydrogen energy |
-- | Engineer of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1988- |
Расширение инициалов личного имени | Igor Vyacheslavovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\35575 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Smolyanskiy (Smolyansky, Smolyanskii) |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. A. |
Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
-- | Research Engineer of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1985- |
Расширение инициалов личного имени | Egor Aleksandrovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\37673 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Lauk |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. L. |
Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
-- | Leading engineer of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1957- |
Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Lukyanovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\37675 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Remnev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. E. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
Даты | 1948- |
Расширение инициалов личного имени | Gennady Efimovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов |
Идентифицирующий признак | (2017- ) |
-- | 8118 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23551 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
-- | Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга |
-- | 7866 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23561 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20200820 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2018.11.193 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 662466 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.